FCMT180N65S3
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Technische Details FCMT180N65S3
Description: MOSFET N-CH 650V 17A POWER88, Base Part Number: FCMT180, Package / Case: 4-PowerTSFN, Supplier Device Package: Power88, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 139W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 400V, Vgs (Max): ±30V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.8mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8.5A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 650V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Part Status: Active, Packaging: Tape & Reel (TR), Manufacturer: onsemi.
Preis FCMT180N65S3 ab 0 EUR bis 0 EUR
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FCMT180N65S3 Hersteller: ON Semiconductor 
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2790 Stücke |
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 Hersteller: ON Semiconductor MOSFET SUPERFET3 650V 17A 180 mOhm
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auf Bestellung 2212 Stücke  Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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FCMT180N65S3 Hersteller: onsemi MOSFET SF2 650V 380MOHM F TO220F
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 Hersteller: onsemi Description: MOSFET N-CH 650V 17A POWER88 Base Part Number: FCMT180 Package / Case: 4-PowerTSFN Supplier Device Package: Power88 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 139W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 400V Vgs (Max): ±30V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.8mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8.5A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) Manufacturer: onsemi
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Hersteller: onsemi Description: MOSFET N-CH 650V 17A POWER88 Base Part Number: FCMT180 Package / Case: 4-PowerTSFN Supplier Device Package: Power88 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 139W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 400V Vgs (Max): ±30V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.8mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8.5A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Part Status: Active Packaging: Cut Tape (CT) Manufacturer: onsemi
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auf Bestellung 2763 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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