FCMT180N65S3 ON Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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| 50+ | 2.91 EUR |
| 52+ | 2.59 EUR |
| 100+ | 2.4 EUR |
| 250+ | 2.28 EUR |
| 500+ | 2.18 EUR |
| 1000+ | 2.01 EUR |
| 3000+ | 1.98 EUR |
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Technische Details FCMT180N65S3 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FCMT180N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17 A, 0.18 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 139W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote FCMT180N65S3 nach Preis ab 1.98 EUR bis 4.26 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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FCMT180N65S3 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 650V 17A 4-Pin PQFN EP T/R |
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FCMT180N65S3 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 650V 17A POWER88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 139W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.8mA Supplier Device Package: Power88 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 400 V |
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FCMT180N65S3 | Hersteller : onsemi |
MOSFETs SUPERFET3 650V 17A 180 mOhm |
auf Bestellung 2486 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FCMT180N65S3 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 650V 17A POWER88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 139W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.8mA Supplier Device Package: Power88 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 400 V |
auf Bestellung 10510 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FCMT180N65S3 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCMT180N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17 A, 0.18 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 139W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
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FCMT180N65S3 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCMT180N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17 A, 0.18 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 139W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 4690 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FCMT180N65S3 | Hersteller : ON Semiconductor |
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FCMT180N65S3 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 17A 4-Pin PQFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FCMT180N65S3 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 17A 4-Pin PQFN EP T/R |
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FCMT180N65S3 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 17A 4-Pin PQFN EP T/R |
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FCMT180N65S3 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 17A 4-Pin PQFN EP T/R |
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| FCMT180N65S3 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 17A; Idm: 42.5A; 139W; PQFN4 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 17A Pulsed drain current: 42.5A Power dissipation: 139W Case: PQFN4 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: SMD Gate charge: 33nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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