FCMT299N60
FCMT299N60
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 12A POWER88
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1948 pF @ 380 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: Power88
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
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Technische Details FCMT299N60
Description: MOSFET N-CH 600V 12A POWER88, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1948pF @ 380V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Part Status: Active, Package / Case: 4-PowerTSFN, Supplier Device Package: Power88, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 125W (Tc).
Preis FCMT299N60 ab 4.09 EUR bis 7.59 EUR
 Hersteller: onsemi / Fairchild MOSFET SF2 600V 299MOHM F PQFN88
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Hersteller: onsemi Description: MOSFET N-CH 600V 12A POWER88 Package / Case: 4-PowerTSFN Packaging: Cut Tape (CT) Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: Power88 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1948 pF @ 380 V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount
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FCMT299N60 Hersteller: ONSEMI Material: FCMT299N60 SMD N channel transistors
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 Hersteller: ON Semiconductor Trans MOSFET N-CH 600V 12A 4-Pin Power 88 EP T/R
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FCMT299N60 Hersteller: ONSEMI Material: FCMT299N60 SMD N channel transistors
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Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild MOSFET SF2 600V 299MOHM F PQFN88
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 Hersteller: ON Semiconductor Description: MOSFET N-CH 600V 12A POWER88 Vgs (Max): ±20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1948pF @ 380V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $) Part Status: Active Package / Case: 4-PowerTSFN Supplier Device Package: Power88 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
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