FCP104N60 onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4165 pF @ 380 V
auf Bestellung 1918 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 2+ | 14.38 EUR |
| 50+ | 11.41 EUR |
| 100+ | 9.78 EUR |
| 500+ | 8.69 EUR |
| 1000+ | 7.44 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details FCP104N60 onsemi
Description: ONSEMI - FCP104N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.096 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 37A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 357W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: SuperFET II, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm.
Weitere Produktangebote FCP104N60 nach Preis ab 7.02 EUR bis 14.48 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FCP104N60 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET SuperFET2 600V Fast ver |
auf Bestellung 1056 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
FCP104N60 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCP104N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.096 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 37A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 357W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: SuperFET II productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm |
auf Bestellung 382 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
FCP104N60 Produktcode: 177196 |
Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1 |
Produkt ist nicht verfügbar
|
|||||||||||||||||||
 |
FCP104N60 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
 |
FCP104N60 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
 |
FCP104N60 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; Idm: 111A; 357W; TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 82nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 111A Case: TO220AB Drain-source voltage: 600V Drain current: 24A On-state resistance: 0.104Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 357W Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
|
|
FCP104N60 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; Idm: 111A; 357W; TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 82nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 111A Case: TO220AB Drain-source voltage: 600V Drain current: 24A On-state resistance: 0.104Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 357W Polarisation: unipolar |
Produkt ist nicht verfügbar |