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FCP104N60

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FCP104N60 FCP104N60 Fairchild Semiconductor ONSM-S-A0003585380-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
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FCP104N60 FCP104N60 onsemi FCP104N60-D.pdf ONSM-S-A0003585380-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFETs SuperFET2 600V Fast ver
auf Bestellung 791 Stücke:
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FCP104N60 FCP104N60 onsemi FCP104N60-D.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4165 pF @ 380 V
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50+5.54 EUR
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FCP104N60
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
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FCP104N60
Hersteller: onsemi
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FCP104N60
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
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