FCP104N60 onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4165 pF @ 380 V
auf Bestellung 1805 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 2+ | 9.64 EUR |
| 50+ | 6.13 EUR |
| 100+ | 5.43 EUR |
| 500+ | 4.99 EUR |
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Technische Details FCP104N60 onsemi
Description: ONSEMI - FCP104N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.096 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 37A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 357W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperFET II, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote FCP104N60 nach Preis ab 5.39 EUR bis 10.40 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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FCP104N60 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs SuperFET2 600V Fast ver |
auf Bestellung 606 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FCP104N60 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCP104N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.096 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 37A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 357W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperFET II productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 303 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FCP104N60 Produktcode: 177196
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1 |
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FCP104N60 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FCP104N60 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FCP104N60 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; Idm: 111A; 357W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 24A Power dissipation: 357W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.104Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 111A Gate charge: 82nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FCP104N60 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; Idm: 111A; 357W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 24A Power dissipation: 357W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.104Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 111A Gate charge: 82nC |
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