FCPF190N60E onsemi
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 20.6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 20.6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 25 V
auf Bestellung 6975 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
3+ | 9.52 EUR |
50+ | 7.54 EUR |
100+ | 6.46 EUR |
500+ | 5.74 EUR |
1000+ | 4.92 EUR |
2000+ | 4.63 EUR |
5000+ | 4.44 EUR |
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Technische Details FCPF190N60E onsemi
Description: ONSEMI - FCPF190N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.6 A, 0.16 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 20.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 39W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote FCPF190N60E nach Preis ab 4.71 EUR bis 9.67 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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FCPF190N60E | Hersteller : onsemi / Fairchild | MOSFET 600V N-CHAN MOSFET |
auf Bestellung 48 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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FCPF190N60E | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCPF190N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.6 A, 0.16 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 103 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FCPF190N60E | Hersteller : ON Semiconductor |
auf Bestellung 3895 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FCPF190N60E | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FCPF190N60E | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |