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Technische Details FCPF190N60E onsemi / Fairchild
Description: ONSEMI - FCPF190N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.6 A, 0.16 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 20.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 39W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote FCPF190N60E nach Preis ab 3.06 EUR bis 6.79 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FCPF190N60E | Hersteller : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 600V 20.6A TO220FPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 25 V |
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FCPF190N60E | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCPF190N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.6 A, 0.16 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
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| FCPF190N60E | Hersteller : ON Semiconductor |
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FCPF190N60E | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 20.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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FCPF190N60E | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 20.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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| FCPF190N60E | Hersteller : ONSEMI |
FCPF190N60E THT N channel transistors |
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