| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 6.53 EUR |
| 10+ | 3.92 EUR |
| 100+ | 3.77 EUR |
| 500+ | 3.52 EUR |
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Technische Details FCPF190N60E onsemi / Fairchild
Description: ONSEMI - FCPF190N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.6 A, 0.19 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 20.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 39W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote FCPF190N60E nach Preis ab 3.8 EUR bis 9.15 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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FCPF190N60E | ONSEMI |
 Description: ONSEMI - FCPF190N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.6 A, 0.19 ohm, TO-220F, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1472 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FCPF190N60E | ON Semiconductor |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FCPF190N60E |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCPF190N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.6 A, 0.19 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
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Produktpalette: -
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FCPF190N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.6 A, 0.19 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
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Transistormontage: Durchsteckmontage
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Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
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Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 28+ | 9.15 EUR |
| 31+ | 7.66 EUR |
| 100+ | 4.18 EUR |
| 500+ | 3.92 EUR |
| 1000+ | 3.8 EUR |
| FCPF190N60E |
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Hersteller: ON Semiconductor
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)