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FDB33N25TM

FDB33N25TM ON Semiconductor


fdb33n25-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details FDB33N25TM ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 16.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 235W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 25 V.

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FDB33N25TM FDB33N25TM Hersteller : ON Semiconductor fdb33n25-d.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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FDB33N25TM FDB33N25TM Hersteller : onsemi ONSM-S-A0003584126-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 25 V
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FDB33N25TM FDB33N25TM Hersteller : ONSEMI FDB33N25.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 33A; 235W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 235W
On-state resistance: 94mΩ
Polarisation: unipolar
Drain current: 33A
Gate charge: 48nC
Drain-source voltage: 250V
Technology: UniFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Type of transistor: N-MOSFET
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FDB33N25TM FDB33N25TM Hersteller : ONSEMI FDB33N25.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 33A; 235W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 235W
On-state resistance: 94mΩ
Polarisation: unipolar
Drain current: 33A
Gate charge: 48nC
Drain-source voltage: 250V
Technology: UniFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Type of transistor: N-MOSFET
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FDB33N25TM FDB33N25TM Hersteller : onsemi / Fairchild FDB33N25_D-2311990.pdf MOSFETs 250V N-Ch MOSFET
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FDB33N25TM FDB33N25TM Hersteller : onsemi ONSM-S-A0003584126-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 25 V
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FDB33N25TM FDB33N25TM Hersteller : ON Semiconductor 3651793417523870fdb33n25.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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FDB33N25TM Hersteller : ON-Semicoductor ONSM-S-A0003584126-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw N-MOSFET 33A 250V 235W 0.094Ω FDB33N25TM TFDB33N25TM
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