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FDB33N25TM

FDB33N25TM ON Semiconductor

fdb33n25-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 13600 Stücke:
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Technische Details FDB33N25TM ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDB33N25TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 33 A, 0.094 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 33A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 235W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote FDB33N25TM nach Preis ab 1.62 EUR bis 6.32 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDB33N25TM FDB33N25TM ON Semiconductor fdb33n25-d.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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FDB33N25TM FDB33N25TM ON Semiconductor fdb33n25-d.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 22400 Stücke:
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FDB33N25TM FDB33N25TM onsemi FDB33N25-D.PDF Description: MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 25 V
auf Bestellung 13600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+2 EUR
1600+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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FDB33N25TM FDB33N25TM ON-Semiconductor info-tfdb33n25tm.pdf N-MOSFET 33A 250V 235W 0.094Ω FDB33N25TM TFDB33N25TM
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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FDB33N25TM FDB33N25TM ONSEMI FDB33N25.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 33A; 235W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 235W
Gate charge: 48nC
Polarisation: unipolar
Technology: UniFET™
Drain current: 33A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 250V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 94mΩ
auf Bestellung 407 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+4 EUR
26+3.36 EUR
30+2.88 EUR
33+2.58 EUR
38+2.26 EUR
40+2.13 EUR
100+1.86 EUR
200+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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FDB33N25TM FDB33N25TM onsemi / Fairchild FDB33N25-D.PDF MOSFETs 250V N-Ch MOSFET
auf Bestellung 14329 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.38 EUR
10+3.28 EUR
100+2.43 EUR
500+2.37 EUR
800+1.93 EUR
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FDB33N25TM FDB33N25TM onsemi FDB33N25-D.PDF MOSFETs 250V N-Ch MOSFET
auf Bestellung 11327 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.03 EUR
10+3.52 EUR
100+2.45 EUR
500+2.03 EUR
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FDB33N25TM FDB33N25TM onsemi FDB33N25-D.PDF Description: MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 25 V
auf Bestellung 13928 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.18 EUR
10+4.01 EUR
100+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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FDB33N25TM FDB33N25TM ONSEMI 2304001.pdf Description: ONSEMI - FDB33N25TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 33 A, 0.094 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 235W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4492 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+6.32 EUR
54+4.32 EUR
100+2.7 EUR
500+2.44 EUR
1000+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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FDB33N25TM
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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auf Bestellung 22400 Stücke:
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auf Bestellung 22400 Stücke:
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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FDB33N25TM
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 25 V
auf Bestellung 13600 Stücke:
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Hersteller: ON-Semiconductor
N-MOSFET 33A 250V 235W 0.094Ω FDB33N25TM TFDB33N25TM
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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AnzahlPrivatkunde
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Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 33A; 235W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 235W
Gate charge: 48nC
Polarisation: unipolar
Technology: UniFET™
Drain current: 33A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 250V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 94mΩ
auf Bestellung 407 Stücke:
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26+3.36 EUR
30+2.88 EUR
33+2.58 EUR
38+2.26 EUR
40+2.13 EUR
100+1.86 EUR
200+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 250V N-Ch MOSFET
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10+3.28 EUR
100+2.43 EUR
500+2.37 EUR
800+1.93 EUR
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FDB33N25TM
Hersteller: onsemi
MOSFETs 250V N-Ch MOSFET
auf Bestellung 11327 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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10+3.52 EUR
100+2.45 EUR
500+2.03 EUR
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FDB33N25TM
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 25 V
auf Bestellung 13928 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+6.18 EUR
10+4.01 EUR
100+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB33N25TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 33 A, 0.094 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 235W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4492 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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40+6.32 EUR
54+4.32 EUR
100+2.7 EUR
500+2.44 EUR
1000+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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