FDB52N20TM

FDB52N20TM

Hersteller: ONSEMI
Material: FDB52N20TM SMD N channel transistors
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Technische Details FDB52N20TM

Description: MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK, Power Dissipation (Max): 357W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900pF @ 25V, Vgs (Max): ±30V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 26A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Part Status: Active, Packaging: Tape & Reel (TR), Manufacturer: onsemi, Base Part Number: FDB52N20, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Supplier Device Package: D²PAK (TO-263), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ).

Preis FDB52N20TM ab 1.69 EUR bis 6.73 EUR

FDB52N20TM
Hersteller: ON
Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Trans FDB52N20TM D2PAK TFDB52n20tm
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FDB52N20TM
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFET 200V N-Ch MOSFET
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
3663487762000132fdb52n20.pdf
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Hersteller: ONSEMI
Material: FDB52N20TM SMD N channel transistors
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild
MOSFET 200V N-Ch MOSFET
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FDB52N20TM
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900pF @ 25V
Vgs (Max): ±30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 26A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 200V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Manufacturer: onsemi
Base Part Number: FDB52N20
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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FDB52N20TM
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package: D²PAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2.9pF @ 25V
Vgs (Max): ±30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 26A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 200V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Manufacturer: Rochester Electronics, LLC
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FDB52N20TM
FDB52N20TM
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 26A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 200V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Packaging: Cut Tape (CT)
Manufacturer: onsemi
Base Part Number: FDB52N20
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900pF @ 25V
Vgs (Max): ±30V
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FDB52N20TM
FDB52N20TM
Hersteller: ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package: D²PAK
Vgs (Max): ±30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 26A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 200V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900pF @ 25V
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FDB52N20TM
FDB52N20TM
Hersteller: onsemi
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
Manufacturer: Rochester Electronics, LLC
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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