FDB52N20TM ONSEMI
Hersteller: ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 52A; 357W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 52A
Power dissipation: 357W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: UniFET™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 438 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 28+ | 2.6 EUR |
| 31+ | 2.32 EUR |
| 36+ | 2 EUR |
| 38+ | 1.9 EUR |
| 800+ | 1.83 EUR |
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Technische Details FDB52N20TM ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB52N20TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 52 A, 0.041 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 52, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 357, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 357, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 2, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.041, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote FDB52N20TM nach Preis ab 1.9 EUR bis 3.78 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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FDB52N20TM | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 52A; 357W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 52A Power dissipation: 357W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 49mΩ Mounting: SMD Gate charge: 63nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: UniFET™ |
auf Bestellung 438 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDB52N20TM | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 200V N-Ch MOSFET |
auf Bestellung 15772 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDB52N20TM | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 357W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V |
auf Bestellung 635 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDB52N20TM | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDB52N20TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 52 A, 0.041 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 52 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 357 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 euEccn: NLR Verlustleistung: 357 Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.041 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041 SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 140 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDB52N20TM | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDB52N20TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 52 A, 0.041 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX Verlustleistung: 357 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 140 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDB52N20TM | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDB52N20TM | Hersteller : ON-Semicoductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK FDB52N20TM TFDB52n20tm Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 102 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDB52N20TM | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDB52N20TM | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDB52N20TM | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDB52N20TM | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 357W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V |
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