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FDB52N20TM

FDB52N20TM ONSEMI


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDEA43EA443E28&compId=FDB52N20.pdf?ci_sign=d43ba8033692a45b011f90f2143d2d3cb4d93be8 Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 52A; 357W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 52A
Power dissipation: 357W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: UniFET™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 438 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.60 EUR
31+2.32 EUR
36+2.00 EUR
38+1.90 EUR
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Mindestbestellmenge: 28
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Technische Details FDB52N20TM ONSEMI

Description: ONSEMI - FDB52N20TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 52 A, 0.041 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 52, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 357, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 357, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 2, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.041, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041, SVHC: Lead (17-Jan-2023).

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FDB52N20TM FDB52N20TM Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDEA43EA443E28&compId=FDB52N20.pdf?ci_sign=d43ba8033692a45b011f90f2143d2d3cb4d93be8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 52A; 357W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 52A
Power dissipation: 357W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: UniFET™
auf Bestellung 438 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
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31+2.32 EUR
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FDB52N20TM FDB52N20TM Hersteller : onsemi / Fairchild FDB52N20_D-2312151.pdf MOSFETs 200V N-Ch MOSFET
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FDB52N20TM FDB52N20TM Hersteller : onsemi FDB52N20-D.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
auf Bestellung 635 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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10+3.01 EUR
100+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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FDB52N20TM FDB52N20TM Hersteller : ONSEMI 1781225.pdf Description: ONSEMI - FDB52N20TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 52 A, 0.041 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 357
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.041
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDB52N20TM FDB52N20TM Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0003584065-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDB52N20TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 52 A, 0.041 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 357
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDB52N20TM FDB52N20TM Hersteller : ON Semiconductor 3663487762000132fdb52n20.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDB52N20TM Hersteller : ON-Semicoductor FDB52N20-D.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK FDB52N20TM TFDB52n20tm
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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FDB52N20TM FDB52N20TM Hersteller : ON Semiconductor 3663487762000132fdb52n20.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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FDB52N20TM FDB52N20TM Hersteller : ON Semiconductor 3663487762000132fdb52n20.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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FDB52N20TM FDB52N20TM Hersteller : ON Semiconductor 3663487762000132fdb52n20.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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FDB52N20TM FDB52N20TM Hersteller : onsemi FDB52N20-D.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
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