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Technische Details FDC640P ON Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SuperSOT™-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 10 V.
Weitere Produktangebote FDC640P nach Preis ab 0.21 EUR bis 1.4 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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FDC640P | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R |
auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC640P | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC640P | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC640P | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R |
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FDC640P | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 10 V |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FDC640P | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R |
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FDC640P | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 10 V |
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FDC640P | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET SSOT-6 P-CH -20V |
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FDC640P | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC640P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.039 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Anzahl der Pins: 6Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm |
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FDC640P | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC640P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.039 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Anzahl der Pins: 6Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm |
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FDC640P | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R |
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FDC640P | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; 1.6W; SuperSOT-6 Case: SuperSOT-6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape On-state resistance: 80mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Gate charge: 13nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: -20V Drain current: -4.5A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDC640P | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; 1.6W; SuperSOT-6 Case: SuperSOT-6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape On-state resistance: 80mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Gate charge: 13nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: -20V Drain current: -4.5A |
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