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FDC640P

FDC640P ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
406+0.43 EUR
413+0.42 EUR
419+0.4 EUR
500+0.38 EUR
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Mindestbestellmenge: 406 Stücke
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Technische Details FDC640P ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDC640P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.053 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 1.6W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDC640P FDC640P ON Semiconductor fdc640p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2050 Stücke:
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394+0.44 EUR
400+0.42 EUR
406+0.39 EUR
413+0.38 EUR
419+0.36 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 394 Stücke
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FDC640P FDC640P ON Semiconductor fdc640p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
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3000+0.48 EUR
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FDC640P FDC640P ON Semiconductor fdc640p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
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3000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC640P FDC640P onsemi fdc640p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 10 V
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDC640P FDC640P ON Semiconductor fdc640p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 4128 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1183+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 1183 Stücke
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FDC640P FDC640P ON Semiconductor fdc640p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1183+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 1183 Stücke
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FDC640P FDC640P ON Semiconductor fdc640p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
249+0.7 EUR
309+0.55 EUR
331+0.49 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.37 EUR
3000+0.33 EUR
6000+0.31 EUR
9000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 249 Stücke
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FDC640P FDC640P onsemi / Fairchild FDC640P-D.PDF MOSFETs SSOT-6 P-CH -20V
auf Bestellung 10249 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.61 EUR
10+1.17 EUR
100+0.79 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.56 EUR
3000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC640P FDC640P onsemi fdc640p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 6055 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.96 EUR
18+1.23 EUR
100+0.81 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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FDC640P FDC640P ONSEMI ONSM-S-A0013178570-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC640P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.053 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
auf Bestellung 4781 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+2.3 EUR
165+1.4 EUR
245+0.88 EUR
500+0.68 EUR
1500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
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FDC640P FDC640P ONSEMI ONSM-S-A0013178570-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC640P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.053 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
auf Bestellung 4781 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+2.3 EUR
165+1.4 EUR
245+0.88 EUR
500+0.68 EUR
1500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
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FDC640P fdc640p-d.pdf
FDC640P
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
394+0.44 EUR
400+0.42 EUR
406+0.39 EUR
413+0.38 EUR
419+0.36 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 394 Stücke
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FDC640P
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDC640P fdc640p-d.pdf
FDC640P
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDC640P
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 10 V
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDC640P fdc640p-d.pdf
FDC640P
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 4128 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1183+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 1183 Stücke
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FDC640P fdc640p-d.pdf
FDC640P
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1183+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 1183 Stücke
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FDC640P
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
249+0.7 EUR
309+0.55 EUR
331+0.49 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.37 EUR
3000+0.33 EUR
6000+0.31 EUR
9000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 249 Stücke
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FDC640P
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs SSOT-6 P-CH -20V
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AnzahlPrivatkunde
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10+1.17 EUR
100+0.79 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.56 EUR
3000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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FDC640P
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 6055 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11+1.96 EUR
18+1.23 EUR
100+0.81 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC640P ONSM-S-A0013178570-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDC640P
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC640P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.053 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
auf Bestellung 4781 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
109+2.3 EUR
165+1.4 EUR
245+0.88 EUR
500+0.68 EUR
1500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC640P ONSM-S-A0013178570-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDC640P
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC640P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.053 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
auf Bestellung 4781 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
109+2.3 EUR
165+1.4 EUR
245+0.88 EUR
500+0.68 EUR
1500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH