FDD120AN15A0 onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 2.8A/14A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
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Technische Details FDD120AN15A0 onsemi
Description: ONSEMI - FDD120AN15A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 14 A, 0.101 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.101ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote FDD120AN15A0 nach Preis ab 0.59 EUR bis 3.01 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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FDD120AN15A0 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 14A; 65W; DPAK Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 150V Drain current: 14A On-state resistance: 282mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 65W Polarisation: unipolar Gate charge: 14.5nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2370 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDD120AN15A0 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 14A; 65W; DPAK Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 150V Drain current: 14A On-state resistance: 282mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 65W Polarisation: unipolar Gate charge: 14.5nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
auf Bestellung 2370 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD120AN15A0 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 2.8A/14A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V |
auf Bestellung 14685 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FDD120AN15A0 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET 150V 14a 0.120 Ohm |
auf Bestellung 25989 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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FDD120AN15A0 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD120AN15A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 14 A, 0.101 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.101ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 1655 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD120AN15A0 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD120AN15A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 14 A, 0.101 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.101ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 1655 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDD120AN15A0 | Hersteller : Fairchild |
N-Channel 150V 2.8A (Ta), 14A (Tc) 65W (Tc) Surface Mount DPAK FDD120AN15A0 ON Semiconductor TFDD120an15a0 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDD120AN15A0 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 2.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDD120AN15A0 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 2.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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FDD120AN15A0 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 2.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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FDD120AN15A0 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 2.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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FDD120AN15A0 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 2.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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