Technische Details FDD120AN15A0 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDD120AN15A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 14 A, 0.12 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 65W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm.
Weitere Produktangebote FDD120AN15A0 nach Preis ab 0.6 EUR bis 3.25 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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FDD120AN15A0 | ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 150V 2.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD120AN15A0 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 2.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD120AN15A0 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 2.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD120AN15A0 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 2.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD120AN15A0 | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 14A; 65W; DPAK Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: DPAK On-state resistance: 282mΩ Power dissipation: 65W Gate charge: 14.5nC Polarisation: unipolar Technology: PowerTrench® Drain current: 14A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 150V |
auf Bestellung 1379 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD120AN15A0 | ON-Semiconductor |
N-Channel 150V 2.8A (Ta), 14A (Tc) 65W (Tc) Surface Mount DPAK FDD120AN15A0 ON Semiconductor TFDD120an15a0 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDD120AN15A0 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD120AN15A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 14 A, 0.12 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 65W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm |
auf Bestellung 2360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD120AN15A0 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD120AN15A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 14 A, 0.12 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 65W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm |
auf Bestellung 2360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD120AN15A0 | onsemi |
MOSFETs 150V 14a 0.120 Ohm |
auf Bestellung 3595 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDD120AN15A0 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 2.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 2.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 0.64 EUR |
| FDD120AN15A0 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 2.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 2.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 0.65 EUR |
| 5000+ | 0.61 EUR |
| FDD120AN15A0 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 2.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 2.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 0.67 EUR |
| 5000+ | 0.6 EUR |
| FDD120AN15A0 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 2.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 2.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 222+ | 0.8 EUR |
| 500+ | 0.73 EUR |
| 1000+ | 0.69 EUR |
| FDD120AN15A0 |
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Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 14A; 65W; DPAK
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
On-state resistance: 282mΩ
Power dissipation: 65W
Gate charge: 14.5nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 14A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 14A; 65W; DPAK
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
On-state resistance: 282mΩ
Power dissipation: 65W
Gate charge: 14.5nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 14A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
auf Bestellung 1379 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 48+ | 1.81 EUR |
| 60+ | 1.44 EUR |
| 68+ | 1.25 EUR |
| 94+ | 0.9 EUR |
| 108+ | 0.79 EUR |
| 500+ | 0.69 EUR |
| FDD120AN15A0 |
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Hersteller: ON-Semiconductor
N-Channel 150V 2.8A (Ta), 14A (Tc) 65W (Tc) Surface Mount DPAK FDD120AN15A0 ON Semiconductor TFDD120an15a0
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
N-Channel 150V 2.8A (Ta), 14A (Tc) 65W (Tc) Surface Mount DPAK FDD120AN15A0 ON Semiconductor TFDD120an15a0
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 2.03 EUR |
| FDD120AN15A0 |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD120AN15A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 14 A, 0.12 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 65W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
Description: ONSEMI - FDD120AN15A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 14 A, 0.12 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 65W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
auf Bestellung 2360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 84+ | 3 EUR |
| 132+ | 1.76 EUR |
| 199+ | 1.08 EUR |
| 500+ | 0.84 EUR |
| 1000+ | 0.77 EUR |
| FDD120AN15A0 |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD120AN15A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 14 A, 0.12 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 65W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
Description: ONSEMI - FDD120AN15A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 14 A, 0.12 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 65W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
auf Bestellung 2360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3 EUR |
| 132+ | 1.76 EUR |
| 199+ | 1.08 EUR |
| 500+ | 0.84 EUR |
| 1000+ | 0.77 EUR |
| FDD120AN15A0 |
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Hersteller: onsemi
MOSFETs 150V 14a 0.120 Ohm
MOSFETs 150V 14a 0.120 Ohm
auf Bestellung 3595 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 3.25 EUR |
| 10+ | 2 EUR |
| 100+ | 1.31 EUR |