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FDD120AN15A0

FDD120AN15A0 onsemi

fdd120an15a0-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 2.8A/14A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
auf Bestellung 12500 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Technische Details FDD120AN15A0 onsemi

Description: MOSFET N-CH 150V 2.8A/14A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 65W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDD120AN15A0 FDD120AN15A0 ON-Semiconductor info-tfdd120an15a0.pdf N-Channel 150V 2.8A (Ta), 14A (Tc) 65W (Tc) Surface Mount DPAK FDD120AN15A0 ON Semiconductor TFDD120an15a0
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FDD120AN15A0 FDD120AN15A0 onsemi / Fairchild fdd120an15a0-d.pdf MOSFETs 150V 14a 0.120 Ohm
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FDD120AN15A0 FDD120AN15A0 onsemi fdd120an15a0-d.pdf MOSFETs 150V 14a 0.120 Ohm
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FDD120AN15A0 FDD120AN15A0 onsemi fdd120an15a0-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 2.8A/14A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
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Supplier Device Package: TO-252AA
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Vgs (Max): ±20V
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