FDD13AN06A0
FDD13AN06A0
Hersteller: FAIRCHILDN-Channel 60V 9.9A (Ta), 50A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount DPAK Trans. FDD13AN06A0 DPAK TFDD13an06a0
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Technische Details FDD13AN06A0
Description: MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK, Base Part Number: FDD13AN06, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Supplier Device Package: DPAK, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Power Dissipation (Max): 115W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 25V, Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 50A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 50A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $).
Preis FDD13AN06A0 ab 4.04 EUR bis 4.04 EUR
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FDD13AN06A0 Hersteller: ONSEMI Material: FDD13AN06A0 SMD N channel transistors
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FDD13AN06A0 Hersteller: ONSEMI Material: FDD13AN06A0 SMD N channel transistors
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FDD13AN06A0 Hersteller: ON Semiconductor Trans MOSFET N-CH 60V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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 Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild MOSFET N-Channel PwrTrench
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Hersteller: onsemi / Fairchild MOSFET N-Channel PwrTrench
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FDD13AN06A0 Hersteller: ON Semiconductor Trans MOSFET N-CH 60V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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 Hersteller: ON Semiconductor Description: MOSFET N-CH 60V 9.9A/50A DPAK Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Supplier Device Package: DPAK Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 25V Vgs (Max): ±20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 50A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 50A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Part Status: Active Packaging: Cut Tape (CT)
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 Hersteller: ON Semiconductor Description: MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK Base Part Number: FDD13AN06 Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Supplier Device Package: DPAK Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 25V Vgs (Max): ±20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 50A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 50A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Part Status: Active Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
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Hersteller: ON Semiconductor Description: MOSFET N-CH 60V 9.9A/50A DPAK Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Supplier Device Package: DPAK Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 25V Vgs (Max): ±20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 50A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 50A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR)
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