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FDD13AN06A0

FDD13AN06A0 ON Semiconductor

fdd13an06a0-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details FDD13AN06A0 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDD13AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0135 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 115W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDD13AN06A0 FDD13AN06A0 ON Semiconductor fdd13an06a0-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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auf Bestellung 965 Stücke:
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FDD13AN06A0 FDD13AN06A0 ONSEMI ONSM-S-A0003586818-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDD13AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0135 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 115W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
auf Bestellung 2510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.2 EUR
500+1.77 EUR
1000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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auf Bestellung 434 Stücke:
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78+2.27 EUR
90+1.89 EUR
91+1.81 EUR
107+1.48 EUR
250+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 78 Stücke
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FDD13AN06A0 FDD13AN06A0 ON Semiconductor fdd13an06a0-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 434 Stücke:
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78+2.27 EUR
90+1.94 EUR
91+1.88 EUR
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Mindestbestellmenge: 78 Stücke
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FDD13AN06A0 FDD13AN06A0 ONSEMI FDD13AN06A0.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 115W; DPAK
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
On-state resistance: 34mΩ
Power dissipation: 115W
Gate charge: 29nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
auf Bestellung 2350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+3.3 EUR
37+2.31 EUR
44+1.95 EUR
50+1.71 EUR
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Mindestbestellmenge: 26 Stücke
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FDD13AN06A0 FDD13AN06A0 Fairchild info-tfdd13an06a0.pdf N-Channel 60V 9.9A (Ta), 50A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount DPAK FDD13AN06A0 ON Semiconductor TFDD13an06a0
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+4.77 EUR
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FDD13AN06A0 FDD13AN06A0 onsemi FDD13AN06A0-D.PDF MOSFETs N-Channel PwrTrench
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1+4.9 EUR
10+3.17 EUR
100+2.24 EUR
500+1.92 EUR
1000+1.68 EUR
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FDD13AN06A0 FDD13AN06A0 onsemi FDD13AN06A0-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 9.9A/50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.99 EUR
10+3.21 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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FDD13AN06A0 FDD13AN06A0 ONSEMI ONSM-S-A0003586818-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDD13AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0135 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 115W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
auf Bestellung 2510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+5.84 EUR
67+3.5 EUR
100+2.2 EUR
500+1.77 EUR
1000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
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FDD13AN06A0
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.36 EUR
5000+1.27 EUR
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FDD13AN06A0
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 346 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
303+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 303 Stücke
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FDD13AN06A0
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Trans MOSFET N-CH 60V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD13AN06A0
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD13AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0135 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 115W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
auf Bestellung 2510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.2 EUR
500+1.77 EUR
1000+1.64 EUR
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FDD13AN06A0
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 434 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
78+2.27 EUR
90+1.89 EUR
91+1.81 EUR
107+1.48 EUR
250+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 78 Stücke
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auf Bestellung 434 Stücke:
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FDD13AN06A0
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 115W; DPAK
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
On-state resistance: 34mΩ
Power dissipation: 115W
Gate charge: 29nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
auf Bestellung 2350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
26+3.3 EUR
37+2.31 EUR
44+1.95 EUR
50+1.71 EUR
100+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
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FDD13AN06A0
Hersteller: Fairchild
N-Channel 60V 9.9A (Ta), 50A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount DPAK FDD13AN06A0 ON Semiconductor TFDD13an06a0
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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AnzahlPrivatkunde
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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FDD13AN06A0
Hersteller: onsemi
MOSFETs N-Channel PwrTrench
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 9.9A/50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD13AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0135 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 115W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
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