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FDD18N20LZ

FDD18N20LZ ON Semiconductor

fdd18n20lz-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details FDD18N20LZ ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDD18N20LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 16 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: UniFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FDD18N20LZ FDD18N20LZ Hersteller : onsemi fdd18n20lz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 16A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 25 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
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FDD18N20LZ FDD18N20LZ Hersteller : ON Semiconductor fdd18n20lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Mindestbestellmenge: 250
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FDD18N20LZ FDD18N20LZ Hersteller : ON Semiconductor fdd18n20lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD18N20LZ FDD18N20LZ Hersteller : ON Semiconductor fdd18n20lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD18N20LZ FDD18N20LZ Hersteller : onsemi fdd18n20lz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 16A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 25 V
auf Bestellung 11395 Stücke:
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6+3.41 EUR
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FDD18N20LZ FDD18N20LZ Hersteller : onsemi / Fairchild fdd18n20lz-d.pdf MOSFETs 200V NChannel UniFET
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FDD18N20LZ FDD18N20LZ Hersteller : ONSEMI 2552622.pdf Description: ONSEMI - FDD18N20LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 16 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 4725 Stücke:
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FDD18N20LZ FDD18N20LZ Hersteller : ONSEMI 2552622.pdf Description: ONSEMI - FDD18N20LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 16 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDD18N20LZ FDD18N20LZ Hersteller : ON Semiconductor fdd18n20lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD18N20LZ FDD18N20LZ Hersteller : ON Semiconductor fdd18n20lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD18N20LZ FDD18N20LZ Hersteller : ON Semiconductor fdd18n20lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD18N20LZ Hersteller : ONSEMI fdd18n20lz-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 16A; Idm: 64A; 89W; DPAK3
Case: DPAK3
Mounting: SMD
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.125Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 89W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 200V
Pulsed drain current: 64A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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FDD18N20LZ Hersteller : ONSEMI fdd18n20lz-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 16A; Idm: 64A; 89W; DPAK3
Case: DPAK3
Mounting: SMD
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.125Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 89W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 200V
Pulsed drain current: 64A
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