FDD18N20LZ

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details FDD18N20LZ

Description: MOSFET N-CH 200V DPAK-3, FET Type: N-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Supplier Device Package: D-Pak, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 89W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575pF @ 25V, Vgs (Max): ±20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Technology: MOSFET (Metal Oxide).

Preis FDD18N20LZ ab 0 EUR bis 0 EUR

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Hersteller:
FDD18N20LZ MOSFET N-CH 200V 16A DPAK-3
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Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild
MOSFET 200V NChannel UniFET
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Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFET 200V NChannel UniFET
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 16A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 25 V
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 16A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 25 V
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Hersteller: ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V DPAK-3
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package: D-Pak
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575pF @ 25V
Vgs (Max): ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 200V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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