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FDD18N20LZ

FDD18N20LZ onsemi

fdd18n20lz-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 16A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 25 V
auf Bestellung 22500 Stücke:
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Technische Details FDD18N20LZ onsemi

Description: ONSEMI - FDD18N20LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 16 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200, Dauer-Drainstrom Id: 16, hazardous: false, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 89, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: UniFET, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1, SVHC: Lead (10-Jun-2022).

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FDD18N20LZ FDD18N20LZ Hersteller : onsemi fdd18n20lz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 16A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 25 V
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100+ 2.84 EUR
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1000+ 2.04 EUR
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FDD18N20LZ FDD18N20LZ Hersteller : onsemi / Fairchild FDD18N20LZ_D-2311968.pdf MOSFET 200V NChannel UniFET
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13+4.32 EUR
15+ 3.61 EUR
100+ 2.89 EUR
500+ 2.42 EUR
1000+ 2.09 EUR
2500+ 2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 13
FDD18N20LZ FDD18N20LZ Hersteller : ONSEMI 2552622.pdf Description: ONSEMI - FDD18N20LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 16 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 16
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 89
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 477 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDD18N20LZ FDD18N20LZ Hersteller : ONSEMI 2552622.pdf Description: ONSEMI - FDD18N20LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 16 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 89
Kanaltyp: n-Kanal
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 477 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDD18N20LZ FDD18N20LZ Hersteller : ON Semiconductor fdd18n20lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD18N20LZ FDD18N20LZ Hersteller : ON Semiconductor fdd18n20lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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