FDD18N20LZ
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Technische Details FDD18N20LZ
Description: MOSFET N-CH 200V DPAK-3, FET Type: N-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Supplier Device Package: D-Pak, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 89W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575pF @ 25V, Vgs (Max): ±20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Technology: MOSFET (Metal Oxide).
Preis FDD18N20LZ ab 0 EUR bis 0 EUR
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FDD18N20LZ Hersteller: FDD18N20LZ MOSFET N-CH 200V 16A DPAK-3 
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 Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild MOSFET 200V NChannel UniFET
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auf Bestellung 5000 Stücke  Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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Hersteller: onsemi / Fairchild MOSFET 200V NChannel UniFET
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auf Bestellung 5 Stücke Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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FDD18N20LZ Hersteller: ON Semiconductor Trans MOSFET N-CH 200V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD18N20LZ Hersteller: ON Semiconductor Trans MOSFET N-CH 200V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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 Hersteller: onsemi Description: MOSFET N-CH 200V 16A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 25 V
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Hersteller: onsemi Description: MOSFET N-CH 200V 16A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 25 V
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 Hersteller: ON Semiconductor Description: MOSFET N-CH 200V DPAK-3 FET Type: N-Channel Part Status: Active Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Supplier Device Package: D-Pak Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575pF @ 25V Vgs (Max): ±20V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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auf Bestellung 5311 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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