
FDD18N20LZ ON Semiconductor
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Technische Details FDD18N20LZ ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDD18N20LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 16 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: UniFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote FDD18N20LZ nach Preis ab 1.15 EUR bis 4.08 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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FDD18N20LZ | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 25 V |
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FDD18N20LZ | Hersteller : ON Semiconductor |
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FDD18N20LZ | Hersteller : ON Semiconductor |
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FDD18N20LZ | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 12500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD18N20LZ | Hersteller : onsemi / Fairchild |
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FDD18N20LZ | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 25 V |
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FDD18N20LZ | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: UniFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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FDD18N20LZ | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: UniFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 4725 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD18N20LZ | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 12500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD18N20LZ | Hersteller : ON Semiconductor |
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FDD18N20LZ | Hersteller : ON Semiconductor |
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FDD18N20LZ | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 16A; Idm: 64A; 89W; DPAK3 Case: DPAK3 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 30nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 64A Drain-source voltage: 200V Drain current: 16A On-state resistance: 0.125Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 89W Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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FDD18N20LZ | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 16A; Idm: 64A; 89W; DPAK3 Case: DPAK3 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 30nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 64A Drain-source voltage: 200V Drain current: 16A On-state resistance: 0.125Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 89W Polarisation: unipolar |
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