FDD2582 ON Semiconductor
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Technische Details FDD2582 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDD2582 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.058 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 95W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 95W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.058ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote FDD2582 nach Preis ab 0.72 EUR bis 2.89 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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FDD2582 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 150V 3.7A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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FDD2582 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 3.7A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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FDD2582 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 3.7/21A TO252AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 95W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 25 V |
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FDD2582 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET N-Ch PowerTrench |
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FDD2582 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD2582 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.058 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 95W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
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FDD2582 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD2582 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.058 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 95W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 95W Bauform - Transistor: TO-252AA Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.058ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
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FDD2582 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 3.7A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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FDD2582 Produktcode: 181480 |
IC > IC andere |
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FDD2582 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 3.7A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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FDD2582 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 3.7A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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FDD2582 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 21A; 95W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 21A Power dissipation: 95W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 172mΩ Mounting: SMD Gate charge: 25nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDD2582 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 3.7/21A TO252AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 95W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 25 V |
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FDD2582 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 21A; 95W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 21A Power dissipation: 95W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 172mΩ Mounting: SMD Gate charge: 25nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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