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FDD2582

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Produktcode: 181480
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDD2582 FDD2582 ONSEMI 2304716.pdf Description: ONSEMI - FDD2582 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.058 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 95W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.058ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2014 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.44 EUR
140+1.54 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2582 FDD2582 ON Semiconductor fdd2582-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+2.9 EUR
100+1.94 EUR
200+1.73 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2582 FDD2582 onsemi / Fairchild FDD2582-D.PDF MOSFETs N-Ch PowerTrench
auf Bestellung 6502 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.01 EUR
10+2.03 EUR
100+1.36 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.99 EUR
2500+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2582 FDD2582 onsemi fdd2582-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 3.7/21A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 25 V
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.37 EUR
10+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2582 FDD2582 onsemi fdd2582-d.pdf MOSFETs N-Ch PowerTrench
auf Bestellung 5738 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.42 EUR
10+2.18 EUR
100+1.54 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.08 EUR
2500+0.99 EUR
5000+0.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2582 FDD2582 ONSEMI 2304716.pdf Description: ONSEMI - FDD2582 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.058 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2014 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+3.84 EUR
96+2.44 EUR
140+1.54 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
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FDD2582
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD2582 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.058 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 95W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.058ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2014 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.44 EUR
140+1.54 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.14 EUR
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FDD2582 fdd2582-d.pdf
FDD2582
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
68+2.9 EUR
100+1.94 EUR
200+1.73 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
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FDD2582
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Ch PowerTrench
auf Bestellung 6502 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+3.01 EUR
10+2.03 EUR
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FDD2582 fdd2582-d.pdf
FDD2582
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 3.7/21A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 25 V
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+3.37 EUR
10+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2582 fdd2582-d.pdf
FDD2582
Hersteller: onsemi
MOSFETs N-Ch PowerTrench
auf Bestellung 5738 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.42 EUR
10+2.18 EUR
100+1.54 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.08 EUR
2500+0.99 EUR
5000+0.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2582 2304716.pdf
FDD2582
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD2582 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.058 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2014 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
65+3.84 EUR
96+2.44 EUR
140+1.54 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.14 EUR
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