FDD306P

FDD306P

Hersteller: ON
P-Channel 12V 6.7A (Ta) 52W (Ta) Surface Mount TO-252 Trans. FDD306P DPAK TFDD306P
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Technische Details FDD306P

Description: MOSFET P-CH 12V 6.7A TO252, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.7A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 6 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Vgs (Max): ±8V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-252AA, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 52W (Ta).

Preis FDD306P ab 1.2 EUR bis 1.2 EUR

FDD306P
FDD306P
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 12V 6.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
3656132337958241fdd306p-d.pdf
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FDD306P
Hersteller: ONSEMI
Material: FDD306P SMD P channel transistors
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Hersteller: ONSEMI
Material: FDD306P SMD P channel transistors
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FDD306P
Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild
MOSFET SPECIFIED POWER TR 1.8V PCH
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FDD306P
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFET SPECIFIED POWER TR 1.8V PCH
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 12V 6.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 12V 6.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD306P
FDD306P
Hersteller: Rochester Electronics, LLC
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 52W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
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FDD306P
FDD306P
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 12V 6.7A TO252
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 52W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
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FDD306P
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 12V 6.7A TO252
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 52W (Ta)
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