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FDD306P

FDD306P onsemi

fdd306p-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 12V 6.7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 52W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 6 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
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Technische Details FDD306P onsemi

Description: ONSEMI - FDD306P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6.7 A, 0.09 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 6.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote FDD306P nach Preis ab 0.74 EUR bis 3.31 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDD306P FDD306P onsemi / Fairchild fdd306p-d.pdf MOSFETs SPECIFIED POWER TR 1.8V PCH
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2+1.92 EUR
10+1.65 EUR
100+1.12 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.83 EUR
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FDD306P FDD306P ONSEMI 2304206.pdf Description: ONSEMI - FDD306P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6.7 A, 0.09 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4758 Stücke:
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110+2.28 EUR
127+1.84 EUR
187+1.15 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 110 Stücke
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FDD306P FDD306P ONSEMI 2304206.pdf Description: ONSEMI - FDD306P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6.7 A, 0.09 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: p-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 52W (Ta)
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Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
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FDD306P FDD306P ON-Semiconductor info-tfdd306p.pdf P-Channel 12V 6.7A (Ta) 52W (Ta) Surface Mount TO-252 FDD306P ON Semiconductor TFDD306P
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD306P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6.7 A, 0.09 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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Drain-Source-Spannung Vds: 12V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD306P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6.7 A, 0.09 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
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Power Dissipation (Max): 52W (Ta)
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Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 6 V
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