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FDD306P

FDD306P onsemi / Fairchild

FDD306P-D.pdf
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs SPECIFIED POWER TR 1.8V PCH
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Technische Details FDD306P onsemi / Fairchild

Description: ONSEMI - FDD306P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6.7 A, 0.028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 6.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV, Verlustleistung: 52W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm.

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FDD306P FDD306P ONSEMI 2304206.pdf Description: ONSEMI - FDD306P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6.7 A, 0.028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
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Description: ONSEMI - FDD306P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6.7 A, 0.028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Kanaltyp: p-Kanal
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Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
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Description: ONSEMI - FDD306P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6.7 A, 0.028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
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Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
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