FDD3672 onsemi
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 6.5/44A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 6.5/44A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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2500+ | 1.76 EUR |
5000+ | 1.69 EUR |
12500+ | 1.64 EUR |
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Technische Details FDD3672 onsemi
Description: ONSEMI - FDD3672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 135mW, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm.
Weitere Produktangebote FDD3672 nach Preis ab 1.23 EUR bis 3.95 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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FDD3672 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 135W; DPAK Mounting: SMD Case: DPAK Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 135W Polarisation: unipolar Gate charge: 36nC Technology: UltraFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Drain current: 44A On-state resistance: 68mΩ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 816 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDD3672 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 135W; DPAK Mounting: SMD Case: DPAK Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 135W Polarisation: unipolar Gate charge: 36nC Technology: UltraFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Drain current: 44A On-state resistance: 68mΩ |
auf Bestellung 816 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD3672 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 6.5/44A TO252AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V |
auf Bestellung 18597 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FDD3672 | Hersteller : onsemi / Fairchild | MOSFET 100V 44a .28 Ohms/VGS=1V |
auf Bestellung 19306 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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FDD3672 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD3672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 135mW Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm |
auf Bestellung 344 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD3672 Produktcode: 92624 |
Hersteller : Fairchild |
Transistoren > MOSFET N-CH Uds,V: 100 V Idd,A: 44 A Rds(on), Ohm: 28 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 1710/24 JHGF: SMD |
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FDD3672 | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDD3672 | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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FDD3672 | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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