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FDD3672 Fairchild


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Produktcode: 92624
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Hersteller: Fairchild
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 44 A
Rds(on), Ohm: 28 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1710/24
JHGF: SMD
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FDD3672 FDD3672 onsemi FDD3672-D.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 6.5/44A TO252AA
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 44A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 44A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.15 EUR
5000+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDD3672 FDD3672 ONSEMI FDD3672.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: UltraFET®
auf Bestellung 1535 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+2.29 EUR
40+1.83 EUR
45+1.62 EUR
54+1.34 EUR
61+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
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FDD3672 FDD3672 onsemi FDD3672-D.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 6.5/44A TO252AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 44A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 7441 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.76 EUR
10+1.88 EUR
100+1.51 EUR
500+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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FDD3672 FDD3672 onsemi / Fairchild FDD3672_D-1806930.pdf MOSFETs 100V 44a .28 Ohms/VGS=1V
auf Bestellung 18499 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.29 EUR
10+2.25 EUR
100+1.67 EUR
250+1.66 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.21 EUR
2500+1.19 EUR
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FDD3672 FDD3672-D.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 6.5/44A TO252AA
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 44A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 44A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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2500+1.15 EUR
5000+1.03 EUR
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Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: UltraFET®
auf Bestellung 1535 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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32+2.29 EUR
40+1.83 EUR
45+1.62 EUR
54+1.34 EUR
61+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
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FDD3672 FDD3672-D.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 6.5/44A TO252AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 44A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 7441 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
7+2.76 EUR
10+1.88 EUR
100+1.51 EUR
500+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD3672 FDD3672_D-1806930.pdf
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V 44a .28 Ohms/VGS=1V
auf Bestellung 18499 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
1+3.29 EUR
10+2.25 EUR
100+1.67 EUR
250+1.66 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.21 EUR
2500+1.19 EUR
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