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FDD3672 Fairchild

fdd3672-datasheet.pdf
Produktcode: 92624
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Hersteller: Fairchild
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 44 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 28 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1710/24
Montage: SMD
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDD3672 FDD3672 ON Semiconductor fdd3672-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
137+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 137 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD3672 FDD3672 ON Semiconductor fdd3672-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD3672 FDD3672 ON Semiconductor fdd3672-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+2.78 EUR
76+2.21 EUR
77+2.12 EUR
100+1.62 EUR
250+1.54 EUR
500+1.3 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD3672 FDD3672 ONSEMI ONSM-S-A0003586656-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDD3672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 135mW
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
auf Bestellung 2430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.22 EUR
103+2.09 EUR
500+2.07 EUR
1000+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD3672 FDD3672 onsemi FDD3672-D.pdf MOSFETs 100V 44a .28 Ohms/VGS=1V
auf Bestellung 4543 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.69 EUR
10+2.39 EUR
100+1.98 EUR
500+1.7 EUR
1000+1.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD3672 FDD3672 onsemi FDD3672-D.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 6.5/44A TO252AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 44A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1339 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.8 EUR
10+3.09 EUR
50+2.36 EUR
100+2.12 EUR
500+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD3672 FDD3672 ONSEMI ONSM-S-A0003586656-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDD3672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 135mW
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
auf Bestellung 2430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+5.57 EUR
72+3.22 EUR
103+2.09 EUR
500+2.07 EUR
1000+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD3672 FDD3672 ONSEMI FDD3672.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 135W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Power dissipation: 135W
Gate charge: 36nC
Polarisation: unipolar
Technology: UltraFET®
Drain current: 44A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 68mΩ
auf Bestellung 1496 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD3672 fdd3672-d.pdf
FDD3672
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
137+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 137 Stücke
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FDD3672 fdd3672-d.pdf
FDD3672
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD3672 fdd3672-d.pdf
FDD3672
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
63+2.78 EUR
76+2.21 EUR
77+2.12 EUR
100+1.62 EUR
250+1.54 EUR
500+1.3 EUR
1000+1 EUR
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FDD3672 ONSM-S-A0003586656-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDD3672
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD3672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 135mW
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
auf Bestellung 2430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.22 EUR
103+2.09 EUR
500+2.07 EUR
1000+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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FDD3672 FDD3672-D.pdf
FDD3672
Hersteller: onsemi
MOSFETs 100V 44a .28 Ohms/VGS=1V
auf Bestellung 4543 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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10+2.39 EUR
100+1.98 EUR
500+1.7 EUR
1000+1.64 EUR
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FDD3672
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 6.5/44A TO252AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 44A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1339 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+4.8 EUR
10+3.09 EUR
50+2.36 EUR
100+2.12 EUR
500+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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FDD3672 ONSM-S-A0003586656-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDD3672
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD3672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 135mW
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
auf Bestellung 2430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
45+5.57 EUR
72+3.22 EUR
103+2.09 EUR
500+2.07 EUR
1000+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD3672 FDD3672.pdf
FDD3672
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 135W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Power dissipation: 135W
Gate charge: 36nC
Polarisation: unipolar
Technology: UltraFET®
Drain current: 44A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 68mΩ
auf Bestellung 1496 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH