Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > FDD3672 Fairchild
FDD3672

FDD3672 Fairchild


fdd3672-datasheet.pdf
Produktcode: 92624
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller: Fairchild
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 44 A
Rds(on), Ohm: 28 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1710/24
JHGF: SMD
Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote FDD3672 nach Preis ab 0.83 EUR bis 3.29 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
FDD3672 FDD3672 Hersteller : ON Semiconductor fdd3672-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
137+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 137
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD3672 FDD3672 Hersteller : onsemi FDD3672-D.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 6.5/44A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+1.15 EUR
5000+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD3672 FDD3672 Hersteller : ON Semiconductor fdd3672-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD3672 FDD3672 Hersteller : ONSEMI FDD3672.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: UltraFET®
auf Bestellung 1535 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.29 EUR
40+1.83 EUR
45+1.62 EUR
54+1.34 EUR
61+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD3672 FDD3672 Hersteller : ON Semiconductor fdd3672-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
63+2.32 EUR
76+1.84 EUR
77+1.76 EUR
100+1.34 EUR
250+1.28 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD3672 FDD3672 Hersteller : onsemi FDD3672-D.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 6.5/44A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
auf Bestellung 7441 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+2.76 EUR
10+1.88 EUR
100+1.51 EUR
500+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD3672 FDD3672 Hersteller : onsemi / Fairchild FDD3672_D-1806930.pdf MOSFETs 100V 44a .28 Ohms/VGS=1V
auf Bestellung 18499 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.29 EUR
10+2.25 EUR
100+1.67 EUR
250+1.66 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.21 EUR
2500+1.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD3672 FDD3672 Hersteller : ONSEMI FDD3672-D.pdf Description: ONSEMI - FDD3672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135mW
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 454 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD3672 FDD3672 Hersteller : ON Semiconductor fdd3672-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH