FDD5690
FDD5690
Hersteller: ONN-Channel 60V 30A (Tc) 3.2W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-252 Trans. FDD5690 TO252 TFDD5690
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Technische Details FDD5690
Description: MOSFET N-CH 60V 30A D-PAK, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 9A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Supplier Device Package: TO-252, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 50W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110pF @ 25V, Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA.
Preis FDD5690 ab 2.59 EUR bis 2.59 EUR
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FDD5690 Hersteller: ON Semiconductor Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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 Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild MOSFET 60V N-Ch PowerTrench
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FDD5690 Hersteller: ON Semiconductor Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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 Hersteller: onsemi Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO252 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 50W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR)
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 Hersteller: ON Semiconductor Description: MOSFET N-CH 60V 30A D-PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 9A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Part Status: Active Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Supplier Device Package: TO-252 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 50W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110pF @ 25V Vgs (Max): ±20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
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auf Bestellung 2157 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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Hersteller: onsemi Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO252 Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 50W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
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