FDD5690

FDD5690

Hersteller: ON
N-Channel 60V 30A (Tc) 3.2W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-252 Trans. FDD5690 TO252 TFDD5690
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Technische Details FDD5690

Description: MOSFET N-CH 60V 30A D-PAK, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 9A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Supplier Device Package: TO-252, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 50W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110pF @ 25V, Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA.

Preis FDD5690 ab 2.59 EUR bis 2.59 EUR

FDD5690
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD5690
Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild
MOSFET 60V N-Ch PowerTrench
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD5690
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
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FDD5690
FDD5690
Hersteller: ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 30A D-PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 9A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package: TO-252
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 50W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110pF @ 25V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
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FDD5690
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO252
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
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