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FDD6530A

FDD6530A Fairchild Semiconductor

FAIR-S-A0002365615-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 21A TO252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 10 V
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Technische Details FDD6530A Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 20V 21A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 8A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 33W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 10 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FDD6530A Hersteller : FAIRCHILD fdd6530a-d.pdf FAIR-S-A0002365615-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 07+ TO-252
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FDD6530A
Produktcode: 180699 		fdd6530a-d.pdf FAIR-S-A0002365615-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistoren > MOSFET N-CH
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Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 10 V
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FDD6530A FDD6530A Hersteller : onsemi fdd6530a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 21A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
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Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 10 V
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FDD6530A FDD6530A Hersteller : onsemi / Fairchild FDD6530A_D-2312403.pdf MOSFET 20V N-Ch PowerTrench
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