FDD6670A ON Semiconductor
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Technische Details FDD6670A ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDD6670A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.008 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 70W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote FDD6670A nach Preis ab 0.56 EUR bis 2.94 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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FDD6670A | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 15A/66A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 66A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1755 pF @ 15 V |
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FDD6670A | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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FDD6670A | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 3123 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD6670A | Hersteller : onsemi / Fairchild | MOSFET 30V N-Ch PowerTrench Logic Level |
auf Bestellung 10420 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDD6670A | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 15A/66A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 66A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1755 pF @ 15 V |
auf Bestellung 10397 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDD6670A | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD6670A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.008 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 70W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 1370 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD6670A | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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FDD6670A | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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FDD6670A | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 63W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 60A Power dissipation: 63W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDD6670A | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 63W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 60A Power dissipation: 63W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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