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FDD6670A

FDD6670A ON Semiconductor

3345997148396210fdd6670a.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details FDD6670A ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDD6670A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.008 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 70W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm.

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FDD6670A FDD6670A Hersteller : ON Semiconductor 3345997148396210fdd6670a.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD6670A FDD6670A Hersteller : onsemi FAIR-S-A0002365542-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 30V 15A/66A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1755 pF @ 15 V
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FDD6670A FDD6670A Hersteller : ON Semiconductor 3345997148396210fdd6670a.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD6670A FDD6670A Hersteller : onsemi / Fairchild FDD6670A_D-2312257.pdf MOSFET 30V N-Ch PowerTrench Logic Level
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FDD6670A FDD6670A Hersteller : onsemi FAIR-S-A0002365542-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 30V 15A/66A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1755 pF @ 15 V
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FDD6670A FDD6670A Hersteller : ONSEMI FAIR-S-A0002365542-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDD6670A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.008 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
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FDD6670A FDD6670A Hersteller : ON Semiconductor 3345997148396210fdd6670a.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD6670A FDD6670A Hersteller : ON Semiconductor 3345997148396210fdd6670a.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD6670A Hersteller : ONSEMI FAIR-S-A0002365542-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 63W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
Power dissipation: 63W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FDD6670A Hersteller : ONSEMI FAIR-S-A0002365542-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 63W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
Power dissipation: 63W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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