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Technische Details FDD6N50TM onsemi / Fairchild
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.8A; Idm: 24A; 89W; DPAK, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: DMOS; UniFET™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 500V, Drain current: 3.8A, Pulsed drain current: 24A, Power dissipation: 89W, Case: DPAK, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.9Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 16.6nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote FDD6N50TM
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| FDD6N50TM | Hersteller : ONSEMI |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.8A; Idm: 24A; 89W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS; UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 3.8A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 89W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: SMD Gate charge: 16.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDD6N50TM | Hersteller : Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 500V 6A DPAK |
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| FDD6N50TM | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.8A; Idm: 24A; 89W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS; UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 3.8A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 89W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: SMD Gate charge: 16.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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