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FDD8447L

FDD8447L Fairchild

DOC012052266.pdf
Produktcode: 100848
Hersteller: Fairchild
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 40 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 8,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1970/52
JHGF: SMD
auf Bestellung 16 Stück:
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Technische Details FDD8447L Fairchild

  • Transistor
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Drain Source Voltage, Vds:40V
  • Continuous Drain Current, Id:15.2A
  • On Resistance, Rds(on):7mohm
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V
  • Threshold Voltage, Vgs Typ:1.9V

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FDD8447L FDD8447L Hersteller : ON Semiconductor fdd8447l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 15.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD8447L FDD8447L Hersteller : ON Semiconductor fdd8447l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 15.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD8447L FDD8447L Hersteller : onsemi fdd8447l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 15.2A/50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 20 V
auf Bestellung 52500 Stücke:
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2500+0.65 EUR
5000+ 0.6 EUR
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FDD8447L FDD8447L Hersteller : ON Semiconductor fdd8447l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 15.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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5000+ 0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
FDD8447L FDD8447L Hersteller : onsemi / Fairchild FDD8447L_D-2312008.pdf MOSFETs 40V N-Ch PowerTrench MOSFET
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100+ 0.85 EUR
500+ 0.74 EUR
1000+ 0.7 EUR
2500+ 0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 3
FDD8447L FDD8447L Hersteller : ONSEMI FDD8447L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 44W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
59+1.22 EUR
65+ 1.1 EUR
82+ 0.87 EUR
87+ 0.83 EUR
500+ 0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 59
FDD8447L FDD8447L Hersteller : ONSEMI FDD8447L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 44W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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FDD8447L FDD8447L Hersteller : onsemi fdd8447l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 15.2A/50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 20 V
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500+ 0.79 EUR
1000+ 0.72 EUR
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FDD8447L FDD8447L Hersteller : ON Semiconductor fdd8447l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 15.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD8447L FDD8447L Hersteller : ONSEMI 2284191.pdf Description: ONSEMI - FDD8447L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.007 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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FDD8447L FDD8447L Hersteller : ON Semiconductor fdd8447l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 15.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD8447L FDD8447L Hersteller : ONSEMI 2284191.pdf Description: ONSEMI - FDD8447L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.007 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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FDD8447L FDD8447L Hersteller : ON Semiconductor fdd8447l.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 15.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD8447L Hersteller : ON-Semicoductor fdd8447l-d.pdf N-Channel 40V 15.2A (Ta), 50A (Tc) 3.1W (Ta), 44W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-) FDD8447L ON Semiconductor TFDD8447L
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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Mindestbestellmenge: 20
FDD8447L Hersteller : ONSEMI FAIR-S-A0002365688-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDD8447L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 18050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDD8447L FDD8447L Hersteller : ON Semiconductor fdd8447l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 15.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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SS34
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Vrrm(V): 40
If(A): 3
VF@IF: 0,5
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 100 A
auf Bestellung 580 Stück:
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1+0.18 EUR
10+ 0.17 EUR
100+ 0.12 EUR
1000+ 0.1 EUR
10 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-10KR) (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 3689		 RC_series.pdf
10 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-10KR) (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 10 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
verfügbar: 900 Stück
erwartet: 60000 Stück
60000 Stück - erwartet
Anzahl Preis ohne MwSt
10+0.005 EUR
100+ 0.0034 EUR
1000+ 0.0028 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRLML0040TRPBF
Produktcode: 38411		 irlml0040pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664894825e4
IRLML0040TRPBF
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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 40
Idd,A: 03.06.2015
Rds(on), Ohm: 0.056
Ciss, pF/Qg, nC: 06.02.266
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
verfügbar: 467 Stück
270 Stück - stock Köln
197 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 1500 Stück
1500 Stück - erwartet 22.09.2024
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.11 EUR
220uF 25V EZV SMD sizeE 8x10.5 (low imp.) (EZV221M25RE) (Elektrolytkondensator SMD niedriger Impedanz)
Produktcode: 38826		 EZV_070829.pdf
220uF 25V EZV SMD sizeE 8x10.5 (low imp.) (EZV221M25RE) (Elektrolytkondensator SMD niedriger Impedanz)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische SMD
Kapazität: 220uF
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auf Bestellung 513 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.28 EUR
10+ 0.24 EUR
100+ 0.17 EUR
1000+ 0.16 EUR
47 Ohm 5% 2W Ausfuhr. (MOR200SJTB-47R-Hitano)
Produktcode: 50581		 MOR_080911.pdf
47 Ohm 5% 2W Ausfuhr. (MOR200SJTB-47R-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 2W
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№ 7: 8533210000
verfügbar: 2369 Stück
200 Stück - stock Köln
2169 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis ohne MwSt
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100+ 0.02 EUR