FDD8447L Fairchild
Produktcode: 100848
Hersteller: FairchildGehäuse: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 40 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 8,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1970/52
JHGF: SMD
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Technische Details FDD8447L Fairchild
- Transistor
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N Channel
- Drain Source Voltage, Vds:40V
- Continuous Drain Current, Id:15.2A
- On Resistance, Rds(on):7mohm
- Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V
- Threshold Voltage, Vgs Typ:1.9V
Weitere Produktangebote FDD8447L nach Preis ab 0.57 EUR bis 1.62 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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FDD8447L | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 15.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD8447L | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 15.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD8447L | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 15.2A/50A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 20 V |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDD8447L | Hersteller : Fairchild Semiconductor |
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 20 V |
auf Bestellung 25550 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDD8447L | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 44W; DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 44W Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 14mΩ Drain current: 50A Drain-source voltage: 40V Gate charge: 52nC Case: DPAK Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDD8447L | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 44W; DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 44W Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 14mΩ Drain current: 50A Drain-source voltage: 40V Gate charge: 52nC Case: DPAK Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD8447L | Hersteller : onsemi / Fairchild | MOSFET 40V N-Ch PowerTrench MOSFET |
auf Bestellung 89244 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDD8447L | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 15.2A/50A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 20 V |
auf Bestellung 30859 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDD8447L | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 15.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 83 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD8447L | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD8447L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.007 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 44W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm |
auf Bestellung 4986 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD8447L | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 15.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 83 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD8447L | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD8447L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.007 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 44W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm |
auf Bestellung 4986 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD8447L | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 15.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD8447L | Hersteller : ON-Semicoductor |
N-Channel 40V 15.2A (Ta), 50A (Tc) 3.1W (Ta), 44W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-) FDD8447L ON Semiconductor TFDD8447L Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 594 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDD8447L | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD8447L - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 25550 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD8447L | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 15.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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10 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-10KR) (Widerstand/Resistor SMD) Produktcode: 3689 |
Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 10 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 10 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
verfügbar: 11829 Stück
erwartet:
60000 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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10+ | 0.005 EUR |
100+ | 0.0034 EUR |
1000+ | 0.0028 EUR |
220 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD) Produktcode: 77391 |
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 220 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 220 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
verfügbar: 1200 Stück
erwartet:
20000 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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10+ | 0.0038 EUR |
100+ | 0.0024 EUR |
MMBT3906 Produktcode: 160583 |
Hersteller: Yangjie/Hottech
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
fT: 250 MHz
U, V: 40 V
U, V: 40 V
I, А: 0,2 A
h21,max: 300
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
fT: 250 MHz
U, V: 40 V
U, V: 40 V
I, А: 0,2 A
h21,max: 300
auf Bestellung 1762 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)BC807-40 Produktcode: 3638 |
Hersteller: Infineon
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
fT: 80 MHz
U, V: 45
U, V: 50
I, А: 0.5
h21,max: 600
ZCODE: 8541 21 00 90
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
fT: 80 MHz
U, V: 45
U, V: 50
I, А: 0.5
h21,max: 600
ZCODE: 8541 21 00 90
verfügbar: 1200 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.04 EUR |
10+ | 0.03 EUR |
100+ | 0.022 EUR |
1000+ | 0.014 EUR |
SS34 Produktcode: 3426 |
Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: SMC (DO-214AB)
Vrrm(V): 40
If(A): 3
VF@IF: 0,5
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 100 A
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: SMC (DO-214AB)
Vrrm(V): 40
If(A): 3
VF@IF: 0,5
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 100 A
verfügbar: 655 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.18 EUR |
10+ | 0.17 EUR |
100+ | 0.12 EUR |