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FDD8447L

FDD8447L Fairchild

DOC012052266.pdf
Produktcode: 100848
Hersteller: Fairchild
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 40 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 8,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1970/52
JHGF: SMD
auf Bestellung 105 St.:
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Technische Details FDD8447L Fairchild

  • Transistor
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Drain Source Voltage, Vds:40V
  • Continuous Drain Current, Id:15.2A
  • On Resistance, Rds(on):7mohm
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V
  • Threshold Voltage, Vgs Typ:1.9V

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FDD8447L FDD8447L Hersteller : ON Semiconductor fdd8447l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 15.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1347 Stücke:
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228+0.63 EUR
230+0.6 EUR
266+0.5 EUR
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500+0.39 EUR
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FDD8447L FDD8447L Hersteller : ON Semiconductor fdd8447l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 15.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1347 Stücke:
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FDD8447L FDD8447L Hersteller : ON Semiconductor fdd8447l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 15.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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5000+0.52 EUR
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FDD8447L FDD8447L Hersteller : ONSEMI FDD8447L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 44W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 446 Stücke:
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83+0.87 EUR
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FDD8447L FDD8447L Hersteller : onsemi fdd8447l-d.pdf MOSFETs 40V N-Ch PowerTrench MOSFET
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10+1.03 EUR
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1000+0.57 EUR
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FDD8447L FDD8447L Hersteller : onsemi fdd8447l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 15.2A/50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 20 V
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FDD8447L Hersteller : ON-Semiconductor fdd8447l-d.pdf N-Channel 40V 15.2A (Ta), 50A (Tc) 3.1W (Ta), 44W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-) FDD8447L ON Semiconductor TFDD8447L
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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Mindestbestellmenge: 20
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FDD8447L FDD8447L Hersteller : ON Semiconductor fdd8447l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 15.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD8447L FDD8447L Hersteller : ONSEMI 2284191.pdf Description: ONSEMI - FDD8447L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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FDD8447L FDD8447L Hersteller : ONSEMI 2284191.pdf Description: ONSEMI - FDD8447L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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FDD8447L FDD8447L Hersteller : onsemi fdd8447l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 15.2A/50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 20 V
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Uout,V: 3,3 V
Iout,A: 1 А
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Idd,A: 73 A
Rds(on), Ohm: 2,9 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2521/41
Bem.: Single N-channel Trench MOSFET
JHGF: SMD
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erwartet: 100 St.
100 St. - erwartet 30.04.2026
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Термопровідний клей HY910 Halnziye [0.98 Вт/м·К, 5г]
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Опис: Термопровідність: 0,975 Вт/мК. Тепловий опір: 0,246 °С-in²/W. Робоча температура: 60...250°C. Колір білий. Для приклеювання радіаторів на мікросхемах або будь-яких інших деталях, від яких потрібно відвести тепло, за неможливості зафіксувати їх спеціальним кріпленням.
Призначення: Полегшує відведення тепла
Упаковка / Розмір: 5 г
Тип: Теплопровідний клей
Теплопровідність: 0,98 W/mK
auf Bestellung 30 St.:
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Кнопка тактова 3,2х4,2х2.5mm SMD чорна
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Кнопка тактова 3,2х4,2х2.5mm SMD чорна
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Ausgabe/SMD: SMD
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Контакти: SPST-NO
auf Bestellung 80 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SMAJ36A
Hersteller: YJ/Vishay
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Монтаж: SMD
auf Bestellung 1921 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.16 EUR
10+0.14 EUR
100+0.092 EUR
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