FDD8447L Fairchild
Produktcode: 100848
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Lieblingsprodukt
Hersteller: Fairchild
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 В
Drain-Strom Idd, A: 50 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 8,5 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1970/52
Montage: SMD
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.25 EUR |
| 10+ | 1.13 EUR |
| 100+ | 1.01 EUR |
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Technische Details FDD8447L Fairchild
- Transistor
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N Channel
- Drain Source Voltage, Vds:40V
- Continuous Drain Current, Id:15.2A
- On Resistance, Rds(on):7mohm
- Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V
- Threshold Voltage, Vgs Typ:1.9V
Weitere Produktangebote FDD8447L nach Preis ab 0.4 EUR bis 2.65 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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FDD8447L | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 15.2A/50A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 20 V |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDD8447L | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 15.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 812 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD8447L | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 15.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 812 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD8447L | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 15.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 882 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD8447L | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 15.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 882 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD8447L | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 44W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 50A Power dissipation: 44W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: SMD Gate charge: 52nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 182 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD8447L | ON-Semiconductor |
N-Channel 40V 15.2A (Ta), 50A (Tc) 3.1W (Ta), 44W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-) FDD8447L ON Semiconductor TFDD8447LAnzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 394 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDD8447L | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 15.2A/50A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 20 V |
auf Bestellung 7368 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDD8447L | onsemi |
MOSFETs 40V N-Ch PowerTrench MOSFET |
auf Bestellung 10113 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDD8447L | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD8447L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V Verlustleistung: 44W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm |
auf Bestellung 13395 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD8447L | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD8447L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V Verlustleistung: 44W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm |
auf Bestellung 13395 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDD8447L |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 15.2A/50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 40V 15.2A/50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 20 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 0.57 EUR |
| 5000+ | 0.54 EUR |
| FDD8447L |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 15.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 15.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 812 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 228+ | 0.76 EUR |
| 230+ | 0.75 EUR |
| 260+ | 0.64 EUR |
| 266+ | 0.62 EUR |
| 500+ | 0.46 EUR |
| FDD8447L |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 15.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 15.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 812 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 190+ | 0.92 EUR |
| 228+ | 0.74 EUR |
| 230+ | 0.7 EUR |
| 260+ | 0.6 EUR |
| 266+ | 0.56 EUR |
| 500+ | 0.4 EUR |
| FDD8447L |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 15.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 15.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 882 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 119+ | 1.46 EUR |
| 155+ | 1.11 EUR |
| 209+ | 0.81 EUR |
| 500+ | 0.64 EUR |
| 676+ | 0.62 EUR |
| FDD8447L |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 15.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 15.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 882 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 120+ | 1.46 EUR |
| 156+ | 1.07 EUR |
| 210+ | 0.77 EUR |
| 500+ | 0.61 EUR |
| 676+ | 0.57 EUR |
| FDD8447L |
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Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 44W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 44W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 55+ | 1.57 EUR |
| 69+ | 1.24 EUR |
| 79+ | 1.08 EUR |
| 111+ | 0.77 EUR |
| 127+ | 0.67 EUR |
| FDD8447L |
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Hersteller: ON-Semiconductor
N-Channel 40V 15.2A (Ta), 50A (Tc) 3.1W (Ta), 44W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-) FDD8447L ON Semiconductor TFDD8447L
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-Channel 40V 15.2A (Ta), 50A (Tc) 3.1W (Ta), 44W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-) FDD8447L ON Semiconductor TFDD8447L
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 394 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 20+ | 1.98 EUR |
| FDD8447L |
![]() |
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 15.2A/50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 40V 15.2A/50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 20 V
auf Bestellung 7368 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 9+ | 2.37 EUR |
| 15+ | 1.49 EUR |
| 100+ | 0.98 EUR |
| 500+ | 0.76 EUR |
| 1000+ | 0.69 EUR |
| FDD8447L |
![]() |
Hersteller: onsemi
MOSFETs 40V N-Ch PowerTrench MOSFET
MOSFETs 40V N-Ch PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 10113 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.64 EUR |
| 10+ | 1.62 EUR |
| 100+ | 1.07 EUR |
| FDD8447L |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD8447L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 44W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
Description: ONSEMI - FDD8447L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 44W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
auf Bestellung 13395 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 95+ | 2.65 EUR |
| 157+ | 1.49 EUR |
| 201+ | 1.07 EUR |
| 500+ | 0.76 EUR |
| 1000+ | 0.7 EUR |
| FDD8447L |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD8447L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 44W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
Description: ONSEMI - FDD8447L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 44W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
auf Bestellung 13395 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.65 EUR |
| 157+ | 1.49 EUR |
| 201+ | 1.07 EUR |
| 500+ | 0.76 EUR |
| 1000+ | 0.7 EUR |
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| AMS1117-3.3 Produktcode: 87031
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|
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IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: SOT-223
Eingangsspannung Uin, V: 15 В
Ausgangsspannung Uout, V: 3,3 В
Ausgangsstrom Iout, A: 1 A
Spannungsabfall Udrop, V: 1,1 В
Ausgangstyp: Fest
Montage: SMD
Gehäuse: SOT-223
Eingangsspannung Uin, V: 15 В
Ausgangsspannung Uout, V: 3,3 В
Ausgangsstrom Iout, A: 1 A
Spannungsabfall Udrop, V: 1,1 В
Ausgangstyp: Fest
Montage: SMD
auf Bestellung: 4847 St.
- 4847 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.79 EUR |
| 10+ | 0.19 EUR |
| 100+ | 0.1 EUR |
| 1000+ | 0.086 EUR |
| SL44-E3/57T Produktcode: 123347
5
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Vishay
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: DO-214AB
Sperrspannung Vrrm, V: 40 В
Durchlassstrom (per leg) If, A: 4 А
Durchlassspannung Vf, V: 0,35 В
Montage: SMD
Stoßstrom Ifsm, A: 150 А
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: DO-214AB
Sperrspannung Vrrm, V: 40 В
Durchlassstrom (per leg) If, A: 4 А
Durchlassspannung Vf, V: 0,35 В
Montage: SMD
Stoßstrom Ifsm, A: 150 А
auf Bestellung: 395 St.
- 395 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.36 EUR |
| 10+ | 0.31 EUR |
| 100+ | 0.27 EUR |
| Wärmeleitkleber HY910 Halnziye [0,98 Вт/м·К, 5г] Produktcode: 198776
7
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Lieblingsprodukt
|
Chemie > Wärmeleitende Materialien
Beschreibung: Wärmeleitfähigkeit 0,975 W/mK. Wärmewiderstand 0,246 °C·in²/W. Betriebstemperatur 60...250°C. Farbe weiß. Zum Aufkleben von Kühlkörpern auf Mikrochips und anderen Bauteilen, von denen Wärme abgeführt werden muss, wenn eine Befestigung mit speziellen Halterungen nicht möglich ist.
Verwendungszweck: Erleichtert die Wärmeableitung
Verpackung / Größe: 5 g
Typ: Wärmeleitkleber
Wärmeleitfähigkeit: 0,98 W/(m·K)
Beschreibung: Wärmeleitfähigkeit 0,975 W/mK. Wärmewiderstand 0,246 °C·in²/W. Betriebstemperatur 60...250°C. Farbe weiß. Zum Aufkleben von Kühlkörpern auf Mikrochips und anderen Bauteilen, von denen Wärme abgeführt werden muss, wenn eine Befestigung mit speziellen Halterungen nicht möglich ist.
Verwendungszweck: Erleichtert die Wärmeableitung
Verpackung / Größe: 5 g
Typ: Wärmeleitkleber
Wärmeleitfähigkeit: 0,98 W/(m·K)
auf Bestellung: 29 St.
- 29 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.96 EUR |
| Kurzhubtaste 3.2x4.2x2.5mm SMD schwarz Produktcode: 203744
1
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Lieblingsprodukt
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Passive Bauelemente > Tasten/Knöpfe und Tastatur
Bedrahtet/SMD: SMD
Abmessungen, mm: 3,2x4,2x2,5 мм
Beschreibung: Mikrotaste
Kontakte: SPST-NO
Bedrahtet/SMD: SMD
Abmessungen, mm: 3,2x4,2x2,5 мм
Beschreibung: Mikrotaste
Kontakte: SPST-NO
auf Bestellung: 56 St.
- 56 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.19 EUR |
| 10+ | 0.15 EUR |
| 100+ | 0.13 EUR |
| SMAJ36A Produktcode: 940
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: YJ/Vishay
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Suppressordioden (Schutzdioden, restriktive)
Gehäuse: SMA (DO-214AC)
Spitzenleistung, P, W: 400 W
Durchbruchspannung, Vbr: 40 V
Sperrspannung, Vrm: 36 V
Leckstrom, Irm: 1 µA
Diodenbauart: Unidirektional
Montage: SMD
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Suppressordioden (Schutzdioden, restriktive)
Gehäuse: SMA (DO-214AC)
Spitzenleistung, P, W: 400 W
Durchbruchspannung, Vbr: 40 V
Sperrspannung, Vrm: 36 V
Leckstrom, Irm: 1 µA
Diodenbauart: Unidirektional
Montage: SMD
auf Bestellung: 1408 St.
- 1408 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.19 EUR |
| 10+ | 0.17 EUR |
| 100+ | 0.12 EUR |









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