FDD850N10L
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Technische Details FDD850N10L
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 12A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Bulk.
Preis FDD850N10L ab 0 EUR bis 0 EUR
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FDD850N10L Hersteller: ONSEMI Material: FDD850N10L SMD N channel transistors 
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FDD850N10L Hersteller: ONSEMI Material: FDD850N10L SMD N channel transistors
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 Hersteller: onsemi / Fairchild MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
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auf Bestellung 22500 Stücke  Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
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auf Bestellung 5001 Stücke Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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 Hersteller: Fairchild Semiconductor Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 12A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Bulk
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 Hersteller: onsemi Description: MOSFET N-CH 100V 15.7A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 12A, 10V FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT)
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Hersteller: onsemi Description: MOSFET N-CH 100V 15.7A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 12A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR)
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