FDD850N10L

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 15.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details FDD850N10L

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 12A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Bulk.

Preis FDD850N10L ab 0 EUR bis 0 EUR

FDD850N10L
Hersteller: ONSEMI
Material: FDD850N10L SMD N channel transistors
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Hersteller: ONSEMI
Material: FDD850N10L SMD N channel transistors
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FDD850N10L
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
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Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
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FDD850N10L
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
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FDD850N10L
FDD850N10L
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 15.7A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 12A, 10V
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
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FDD850N10L
FDD850N10L
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 15.7A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
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