FDD86102 ON Semiconductor
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Technische Details FDD86102 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 8A/36A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 36A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 62W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1035 pF @ 50 V.
Weitere Produktangebote FDD86102 nach Preis ab 1 EUR bis 4.13 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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FDD86102 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 193 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD86102 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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FDD86102 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 8A/36A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 62W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1035 pF @ 50 V |
auf Bestellung 2270 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FDD86102 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench |
auf Bestellung 30923 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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FDD86102 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD86102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.019 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX Verlustleistung: 62W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 7495 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD86102 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD86102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.019 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX Verlustleistung: 62W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 7495 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD86102 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD86102 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDD86102 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDD86102 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 8A/36A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 62W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1035 pF @ 50 V |
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