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FDD86102

FDD86102 ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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Technische Details FDD86102 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDD86102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.019 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V, Verlustleistung: 62W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm.

Weitere Produktangebote FDD86102 nach Preis ab 1.09 EUR bis 5.95 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDD86102 FDD86102 ON Semiconductor fdd86102-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86102 FDD86102 onsemi fdd86102-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 8A/36A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1035 pF @ 50 V
auf Bestellung 62500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.42 EUR
5000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDD86102 FDD86102 ON Semiconductor fdd86102-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
300+2.18 EUR
500+1.93 EUR
1000+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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FDD86102 FDD86102 ONSEMI 2304877.pdf Description: ONSEMI - FDD86102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.019 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 62W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
auf Bestellung 2194 Stücke:
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100+2.25 EUR
500+2.2 EUR
1000+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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FDD86102 FDD86102 ON Semiconductor fdd86102-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 997 Stücke:
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76+2.31 EUR
91+1.86 EUR
92+1.77 EUR
108+1.45 EUR
250+1.37 EUR
500+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
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FDD86102 FDD86102 ON Semiconductor fdd86102-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+2.31 EUR
91+1.9 EUR
92+1.84 EUR
108+1.52 EUR
250+1.49 EUR
500+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
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FDD86102 FDD86102 ON Semiconductor fdd86102-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+2.62 EUR
85+2.02 EUR
106+1.58 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.36 EUR
2500+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
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67+2.62 EUR
85+1.99 EUR
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1000+1.25 EUR
2500+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86102 FDD86102 onsemi fdd86102-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 8A/36A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1035 pF @ 50 V
auf Bestellung 62546 Stücke:
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5+4.19 EUR
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Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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FDD86102 FDD86102 onsemi fdd86102-d.pdf MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench
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FDD86102 FDD86102 ONSEMI 2304877.pdf Description: ONSEMI - FDD86102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.019 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 62W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
auf Bestellung 2194 Stücke:
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43+5.95 EUR
68+3.44 EUR
100+2.25 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD86102
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 8A/36A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1035 pF @ 50 V
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6500 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
300+2.18 EUR
500+1.93 EUR
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FDD86102 2304877.pdf
FDD86102
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD86102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.019 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 62W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
auf Bestellung 2194 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.25 EUR
500+2.2 EUR
1000+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FDD86102
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 997 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
76+2.31 EUR
91+1.86 EUR
92+1.77 EUR
108+1.45 EUR
250+1.37 EUR
500+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
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FDD86102
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 997 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
76+2.31 EUR
91+1.9 EUR
92+1.84 EUR
108+1.52 EUR
250+1.49 EUR
500+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FDD86102
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
67+2.62 EUR
85+2.02 EUR
106+1.58 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.36 EUR
2500+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86102 fdd86102-d.pdf
FDD86102
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
67+2.62 EUR
85+1.99 EUR
106+1.52 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.25 EUR
2500+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86102 fdd86102-d.pdf
FDD86102
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 8A/36A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1035 pF @ 50 V
auf Bestellung 62546 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+4.19 EUR
10+2.88 EUR
100+2.01 EUR
500+1.68 EUR
1000+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FDD86102
Hersteller: onsemi
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench
auf Bestellung 19027 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.94 EUR
10+2.92 EUR
100+2.18 EUR
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD86102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.019 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 62W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
auf Bestellung 2194 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
43+5.95 EUR
68+3.44 EUR
100+2.25 EUR
500+2.2 EUR
1000+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86102 fdd86102-d.pdf
Hersteller: ONN
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH