FDD86540

FDD86540

Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 21.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details FDD86540

Description: MOSFET N-CH 60V 21.5A/50A DPAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6340 pF @ 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Supplier Device Package: TO-252AA, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 127W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 21.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.5A (Ta), 50A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Part Status: Active.

Preis FDD86540 ab 1.27 EUR bis 2.87 EUR

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 21.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Hersteller: ON Semiconductor

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FDD86540
Hersteller: ONSEMI
Material: FDD86540 SMD N channel transistors
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Hersteller: ONSEMI
Material: FDD86540 SMD N channel transistors
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Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild
MOSFET 60V 50A 4.1ohm NCh PowerTrench MOSFET
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 21.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD86540
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 21.5A/50A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6340 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 127W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 21.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.5A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
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FDD86540
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 21.5A/50A DPAK
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 127W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 21.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.5A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6340 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
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FDD86540
Hersteller: onsemi
Description: N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 60V
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.5A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 21.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6340 pF @ 30 V
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