FDD86540
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Technische Details FDD86540
Description: MOSFET N-CH 60V 21.5A/50A DPAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6340 pF @ 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Supplier Device Package: TO-252AA, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 127W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 21.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.5A (Ta), 50A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Part Status: Active.
Preis FDD86540 ab 1.27 EUR bis 2.87 EUR
 Hersteller: ON Semiconductor Trans MOSFET N-CH 60V 21.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 
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FDD86540 Hersteller: ON Semiconductor
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30000 Stücke |
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FDD86540 Hersteller: ONSEMI Material: FDD86540 SMD N channel transistors
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FDD86540 Hersteller: ONSEMI Material: FDD86540 SMD N channel transistors
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 Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild MOSFET 60V 50A 4.1ohm NCh PowerTrench MOSFET
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FDD86540 Hersteller: ON Semiconductor Trans MOSFET N-CH 60V 21.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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 Hersteller: onsemi Description: MOSFET N-CH 60V 21.5A/50A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6340 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 127W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 21.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.5A (Ta), 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Part Status: Active
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Hersteller: onsemi Description: MOSFET N-CH 60V 21.5A/50A DPAK Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 127W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 21.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.5A (Ta), 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6340 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
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 Hersteller: onsemi Description: N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 60V Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.5A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 21.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 127W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6340 pF @ 30 V
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