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FDD86540

FDD86540 ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 21.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2500+0.92 EUR
5000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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Technische Details FDD86540 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDD86540 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 136 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 136A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 127W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 127W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote FDD86540 nach Preis ab 0.67 EUR bis 4.47 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDD86540 FDD86540 ON Semiconductor fdd86540-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 21.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
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auf Bestellung 1366 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
178+0.98 EUR
179+0.96 EUR
193+0.87 EUR
250+0.84 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 178 Stücke
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FDD86540 FDD86540 ON Semiconductor fdd86540-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 21.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1366 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
168+1.04 EUR
178+0.94 EUR
179+0.9 EUR
193+0.81 EUR
250+0.76 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 168 Stücke
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FDD86540 FDD86540 ONSEMI fdd86540-d.pdf Description: ONSEMI - FDD86540 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 136 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 127W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.27 EUR
500+2.14 EUR
1000+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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FDD86540 FDD86540 onsemi / Fairchild fdd86540-d.pdf MOSFETs 60V 50A 4.1ohm NCh PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 20865 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.28 EUR
10+1.67 EUR
100+1.34 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.04 EUR
2500+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FDD86540 FDD86540 ON Semiconductor fdd86540-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 21.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
221+2.95 EUR
500+2.64 EUR
1000+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 221 Stücke
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FDD86540 FDD86540 ON Semiconductor fdd86540-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 21.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 14750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
221+2.95 EUR
500+2.64 EUR
1000+2.37 EUR
10000+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 221 Stücke
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FDD86540 FDD86540 onsemi fdd86540-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 21.5A/50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.5A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 21.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6340 pF @ 30 V
auf Bestellung 742 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.31 EUR
10+2.11 EUR
100+1.42 EUR
500+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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FDD86540 FDD86540 ONSEMI 2724465.pdf Description: ONSEMI - FDD86540 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 136 A, 0.0041 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4161 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+4.47 EUR
88+2.64 EUR
100+2.3 EUR
500+2.13 EUR
1000+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
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FDD86540 ON Semiconductor fdd86540-d.pdf
auf Bestellung 30000 Stücke:
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FDD86540
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 21.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.93 EUR
5000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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Hersteller: ON Semiconductor
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auf Bestellung 1366 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
178+0.98 EUR
179+0.96 EUR
193+0.87 EUR
250+0.84 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 178 Stücke
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Hersteller: ON Semiconductor
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auf Bestellung 1366 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
168+1.04 EUR
178+0.94 EUR
179+0.9 EUR
193+0.81 EUR
250+0.76 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 168 Stücke
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FDD86540
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD86540 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 136 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 127W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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500+2.14 EUR
1000+2.01 EUR
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Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 60V 50A 4.1ohm NCh PowerTrench MOSFET
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AnzahlPrivatkunde
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10+1.67 EUR
100+1.34 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.04 EUR
2500+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 21.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
221+2.95 EUR
500+2.64 EUR
1000+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 221 Stücke
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 21.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 14750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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500+2.64 EUR
1000+2.37 EUR
10000+2.07 EUR
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 21.5A/50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.5A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 21.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6340 pF @ 30 V
auf Bestellung 742 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+3.31 EUR
10+2.11 EUR
100+1.42 EUR
500+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD86540 2724465.pdf
FDD86540
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD86540 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 136 A, 0.0041 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4161 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
56+4.47 EUR
88+2.64 EUR
100+2.3 EUR
500+2.13 EUR
1000+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
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auf Bestellung 30000 Stücke:
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