FDD8880

FDD8880 ON Semiconductor


fdd8880-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details FDD8880 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDD8880 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 58 A, 0.007 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: 0, Drain-Source-Spannung Vds: 0, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 58A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: 0, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 55W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: 0, Rds(on)-Prüfspannung: 0, Betriebstemperatur, max.: 0, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

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FDD8880 FDD8880 Hersteller : ON Semiconductor fdd8880-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD8880 FDD8880 Hersteller : onsemi FAIR-S-A0002365606-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 30V 13A/58A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 15 V
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FDD8880 FDD8880 Hersteller : onsemi FAIR-S-A0002365606-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 30V 13A/58A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 15 V
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FDD8880 FDD8880 Hersteller : onsemi / Fairchild FDD8880_D-2312196.pdf MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench
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FDD8880 FDD8880 Hersteller : ON Semiconductor fdd8880-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD8880 FDD8880 Hersteller : ONSEMI 1707079.pdf Description: ONSEMI - FDD8880 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 58 A, 0.007 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: 0
Drain-Source-Spannung Vds: 0
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: 0
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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FDD8880 FDD8880 Hersteller : ON Semiconductor fdd8880-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD8880 FDD8880 Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0014832056-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDD8880 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 58 A, 0.007 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: 0
Drain-Source-Spannung Vds: 0
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: 0
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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FDD8880 Hersteller : ONSEMI FAIR-S-A0002365606-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 58A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 58A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FDD8880 Hersteller : ONSEMI FAIR-S-A0002365606-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 58A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 58A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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