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FDD8896

FDD8896 ONSEMI

FDD,FDU8896.pdf Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 94A; 80W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 94A
Power dissipation: 80W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2462 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
65+1.12 EUR
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Technische Details FDD8896 ONSEMI

Description: MOSFET N-CH 30V 17A/94A TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 94A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 35A, 10V, Power Dissipation (Max): 80W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 15 V.

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FDD8896 FDD8896 Hersteller : ONSEMI FDD,FDU8896.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 94A; 80W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 94A
Power dissipation: 80W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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FDD8896 FDD8896 Hersteller : ON Semiconductor 3652257317472082fdd8896.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 742 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
126+1.26 EUR
127+ 1.2 EUR
164+ 0.9 EUR
250+ 0.86 EUR
500+ 0.52 EUR
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FDD8896 FDD8896 Hersteller : ON Semiconductor 3652257317472082fdd8896.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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104+1.53 EUR
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FDD8896 FDD8896 Hersteller : onsemi FDD%2CFDU8896.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 17A/94A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 15 V
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14+ 1.97 EUR
100+ 1.53 EUR
500+ 1.3 EUR
1000+ 1.06 EUR
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FDD8896 FDD8896 Hersteller : onsemi / Fairchild FDD8896_D-3150410.pdf MOSFET 30V N-Channel PowerTrench
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27+ 1.98 EUR
100+ 1.54 EUR
500+ 1.25 EUR
1000+ 1.06 EUR
2500+ 1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 22
FDD8896 FDD8896 Hersteller : ONSEMI 1863390.pdf Description: ONSEMI - FDD8896 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 94 A, 0.0047 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 80W
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1947 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDD8896 FDD8896 Hersteller : ONSEMI 1863390.pdf Description: ONSEMI - FDD8896 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 94 A, 0.0047 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 80W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0047ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
auf Bestellung 1947 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDD8896 Hersteller : VBsemi FDD%2CFDU8896.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 30V; +/-20V; 2,1Ohm; 12A; 165W; -55°C~175°C; Substitute: FDD8896-VB; FDD8896 TFDD8896 VBS
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
FDD8896 Hersteller : ONSEMI FAIR-S-A0002365645-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDD8896 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 994 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDD8896 FDD8896 Hersteller : ON Semiconductor 3652257317472082fdd8896.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDD8896 FDD8896 Hersteller : ON Semiconductor 3652257317472082fdd8896.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDD8896 FDD8896 Hersteller : ON Semiconductor 3652257317472082fdd8896.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDD8896 FDD8896 Hersteller : onsemi FDD%2CFDU8896.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 17A/94A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 15 V
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