FDD9409L-F085
FDD9409L-F085
Hersteller: ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details FDD9409L-F085
Description: NMOS DPAK 40V 2.6 MOHM, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 80A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, FET Type: N-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Power Dissipation (Max): 150W (Tj), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360pF @ 20V, Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA.
Preis FDD9409L-F085 ab 0 EUR bis 0 EUR
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FDD9409L-F085 Hersteller: ON Semiconductor
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9927 Stücke |
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FDD9409L_F085 Hersteller: ON Semiconductor Trans MOSFET N-CH 40V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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 Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild MOSFET N-channel Power Tren ch MOSFET
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auf Bestellung 1440 Stücke  Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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Hersteller: onsemi / Fairchild MOSFET N-channel Power Trench MOSFET
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 Hersteller: ON Semiconductor Description: NMOS DPAK 40V 2.6 MOHM Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 80A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Technology: MOSFET (Metal Oxide) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 FET Type: N-Channel Part Status: Active Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $) Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Power Dissipation (Max): 150W (Tj) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360pF @ 20V Vgs (Max): ±20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
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auf Bestellung 2702 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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 Hersteller: onsemi Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252 Power Dissipation (Max): 150W (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 20 V Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
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Hersteller: onsemi Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252 Power Dissipation (Max): 150W (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
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