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FDG6322C

FDG6322C ON Semiconductor

fdg6322c-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R
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Technische Details FDG6322C ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDG6322C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 220 mA, 220 mA, 2.6 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.6ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 300mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.6ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 300mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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FDG6322C FDG6322C Hersteller : ON Semiconductor fdg6322c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R
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FDG6322C FDG6322C Hersteller : onsemi fdg6322c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 410mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
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FDG6322C FDG6322C Hersteller : ONSEMI FDG6322C.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 25/-25V
Case: SC70-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.3W
Gate charge: 0.4/1.5nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 0.22/0.41A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 25/-25V
Kind of transistor: complementary pair
Type of transistor: N/P-MOSFET
On-state resistance: 7/1.9Ω
Gate-source voltage: ±8/±8V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis ohne MwSt
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200+ 0.36 EUR
285+ 0.25 EUR
302+ 0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 118
FDG6322C FDG6322C Hersteller : ONSEMI FDG6322C.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 25/-25V
Case: SC70-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.3W
Gate charge: 0.4/1.5nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 0.22/0.41A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 25/-25V
Kind of transistor: complementary pair
Type of transistor: N/P-MOSFET
On-state resistance: 7/1.9Ω
Gate-source voltage: ±8/±8V
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FDG6322C FDG6322C Hersteller : ON Semiconductor fdg6322c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R
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257+0.61 EUR
339+ 0.44 EUR
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FDG6322C FDG6322C Hersteller : ON Semiconductor fdg6322c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R
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246+0.64 EUR
285+ 0.53 EUR
287+ 0.51 EUR
372+ 0.38 EUR
375+ 0.36 EUR
500+ 0.27 EUR
1000+ 0.21 EUR
3000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 246
FDG6322C FDG6322C Hersteller : onsemi / Fairchild FDG6322C_D-2312203.pdf MOSFET SC70-6 COMP N-P-CH
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49+1.06 EUR
59+ 0.89 EUR
100+ 0.64 EUR
500+ 0.5 EUR
1000+ 0.4 EUR
3000+ 0.34 EUR
9000+ 0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 49
FDG6322C FDG6322C Hersteller : onsemi fdg6322c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 410mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
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25+1.07 EUR
29+ 0.91 EUR
100+ 0.63 EUR
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FDG6322C FDG6322C Hersteller : ONSEMI 2298613.pdf Description: ONSEMI - FDG6322C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 220 mA, 220 mA, 2.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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FDG6322C FDG6322C Hersteller : ONSEMI 2298613.pdf Description: ONSEMI - FDG6322C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 220 mA, 220 mA, 2.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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FDG6322C FDG6322C Hersteller : ON Semiconductor fdg6322c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDG6322C fdg6322c-d.pdf
auf Bestellung 55000 Stücke:
Lieferzeit 18-25 Tag (e)
FDG6322C FDG6322C Hersteller : ON Semiconductor fdg6322c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R
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