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FDG6322C

FDG6322C ON Semiconductor

fdg6322c-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R
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Technische Details FDG6322C ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDG6322C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 220 mA, 220 mA, 2.6 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.6ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 300mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.6ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 300mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDG6322C FDG6322C ON Semiconductor fdg6322c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDG6322C FDG6322C onsemi fdg6322c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SC88
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 410mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 3700 Stücke:
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3000+0.29 EUR
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FDG6322C FDG6322C ON Semiconductor fdg6322c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
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3000+0.31 EUR
6000+0.3 EUR
9000+0.29 EUR
12000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDG6322C FDG6322C ON Semiconductor fdg6322c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 11997 Stücke:
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382+0.45 EUR
444+0.39 EUR
447+0.38 EUR
552+0.3 EUR
1000+0.24 EUR
6000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 382 Stücke
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FDG6322C FDG6322C ON Semiconductor fdg6322c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 11997 Stücke:
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317+0.55 EUR
366+0.46 EUR
370+0.44 EUR
452+0.35 EUR
455+0.33 EUR
559+0.26 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 317 Stücke
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FDG6322C FDG6322C onsemi / Fairchild FDG6322C_D-2312203.pdf MOSFETs SC70-6 COMP N-P-CH
auf Bestellung 25600 Stücke:
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5+0.77 EUR
10+0.64 EUR
100+0.5 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.32 EUR
3000+0.27 EUR
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Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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FDG6322C FDG6322C onsemi fdg6322c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SC88
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 410mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5836 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.83 EUR
30+0.71 EUR
100+0.5 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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FDG6322C FDG6322C ONSEMI fdg6322c-d.pdf Description: ONSEMI - FDG6322C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 220 mA, 220 mA, 2.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5630 Stücke:
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165+1.52 EUR
268+0.87 EUR
405+0.52 EUR
532+0.4 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDG6322C
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SC88
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 410mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 3700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDG6322C
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.31 EUR
6000+0.3 EUR
9000+0.29 EUR
12000+0.27 EUR
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FDG6322C
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 11997 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
382+0.45 EUR
444+0.39 EUR
447+0.38 EUR
552+0.3 EUR
1000+0.24 EUR
6000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 382 Stücke
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FDG6322C
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 11997 Stücke:
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370+0.44 EUR
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455+0.33 EUR
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FDG6322C
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MOSFETs SC70-6 COMP N-P-CH
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1000+0.32 EUR
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9000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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FDG6322C
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SC88
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 410mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5836 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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FDG6322C
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDG6322C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 220 mA, 220 mA, 2.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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268+0.87 EUR
405+0.52 EUR
532+0.4 EUR
1000+0.35 EUR
5000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 165 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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auf Bestellung 55000 Stücke:
Lieferzeit 18-25 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH