FDMC8462 onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 14A/20A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 20 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details FDMC8462 onsemi
Description: ONSEMI - FDMC8462 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 20 A, 0.0058 ohm, Power 33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 41W, Bauform - Transistor: Power 33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote FDMC8462 nach Preis ab 2.51 EUR bis 5.59 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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FDMC8462 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 14A/20A POWER33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 13.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: Power33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 20 V |
auf Bestellung 10461 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FDMC8462 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET 40V N-Channel PowerTrench |
auf Bestellung 7055 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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FDMC8462 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC8462 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 20 A, 0.0058 ohm, Power 33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 41W Bauform - Transistor: Power 33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2999 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMC8462 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC8462 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 20 A, 0.0058 ohm, Power 33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 41W Bauform - Transistor: Power 33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2999 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMC8462 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 14A 8-Pin Power 33 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDMC8462 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 14A 8-Pin Power 33 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDMC8462 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 14A 8-Pin Power 33 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDMC8462 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 20A; 41W; PQFN8 Mounting: SMD Power dissipation: 41W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 43nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: PQFN8 Drain-source voltage: 40V Drain current: 20A On-state resistance: 9.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDMC8462 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 20A; 41W; PQFN8 Mounting: SMD Power dissipation: 41W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 43nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: PQFN8 Drain-source voltage: 40V Drain current: 20A On-state resistance: 9.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
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