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FDMC8462

FDMC8462 onsemi

fdmc8462-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 14A/20A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 20 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
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Technische Details FDMC8462 onsemi

Description: MOSFET N-CH 40V 14A/20A POWER33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 13.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: Power33, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 20 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDMC8462 FDMC8462 ON Semiconductor fdmc8462-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
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Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc)
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FDMC8462 FDMC8462 onsemi / Fairchild FDMC8462_D-2312575.pdf MOSFETs 40V N-Channel PowerTrench
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