Produkte > ONSEMI > FDMC8882
FDMC8882

FDMC8882 onsemi

fdmc8882-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 10.5A/16A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 15 V
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.61 EUR
6000+ 0.58 EUR
9000+ 0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details FDMC8882 onsemi

Description: ONSEMI - FDMC8882 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0124 ohm, MLP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85423990, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 18W, Bauform - Transistor: MLP, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote FDMC8882 nach Preis ab 0.42 EUR bis 1.48 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
FDMC8882 FDMC8882 Hersteller : ON Semiconductor fdmc8882-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 10.5A 8-Pin Power 33 EP T/R
auf Bestellung 2101 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
194+0.78 EUR
196+ 0.75 EUR
219+ 0.64 EUR
250+ 0.6 EUR
500+ 0.54 EUR
1000+ 0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 194
FDMC8882 FDMC8882 Hersteller : ON Semiconductor fdmc8882-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 10.5A 8-Pin Power 33 EP T/R
auf Bestellung 2101 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
177+0.86 EUR
194+ 0.76 EUR
196+ 0.72 EUR
219+ 0.62 EUR
250+ 0.58 EUR
500+ 0.52 EUR
1000+ 0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 177
FDMC8882 FDMC8882 Hersteller : onsemi / Fairchild FDMC8882_D-2312700.pdf MOSFETs 30V N-Channel Power Trench 174 MOSFET
auf Bestellung 10907 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+1.36 EUR
10+ 1.13 EUR
100+ 0.91 EUR
500+ 0.78 EUR
1000+ 0.65 EUR
3000+ 0.62 EUR
6000+ 0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 3
FDMC8882 FDMC8882 Hersteller : onsemi fdmc8882-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 10.5A/16A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 15 V
auf Bestellung 34937 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
12+1.48 EUR
15+ 1.21 EUR
100+ 0.94 EUR
500+ 0.8 EUR
1000+ 0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 12
FDMC8882 FDMC8882 Hersteller : ONSEMI 1875342.pdf Description: ONSEMI - FDMC8882 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0124 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 18W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDMC8882 FDMC8882 Hersteller : ON Semiconductor fdmc8882jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 10.5A 8-Pin Power 33 EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDMC8882 FDMC8882 Hersteller : ON Semiconductor fdmc8882-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 10.5A 8-Pin Power 33 EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDMC8882 Hersteller : ONSEMI fdmc8882-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; 18W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
Power dissipation: 18W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FDMC8882 Hersteller : ONSEMI fdmc8882-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; 18W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
Power dissipation: 18W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar