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FDMC8882

FDMC8882 onsemi

fdmc8882-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 10.5A/16A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 15 V
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Technische Details FDMC8882 onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 10.5A/16A 8MLP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 10.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 18W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 15 V.

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FDMC8882 FDMC8882 Hersteller : ON Semiconductor fdmc8882-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 10.5A 8-Pin Power 33 EP T/R
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FDMC8882 FDMC8882 Hersteller : ON Semiconductor fdmc8882-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 10.5A 8-Pin Power 33 EP T/R
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FDMC8882 FDMC8882 Hersteller : onsemi fdmc8882-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 10.5A/16A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
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Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 18W (Tc)
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FDMC8882 FDMC8882 Hersteller : onsemi / Fairchild FDMC8882_D-2312700.pdf MOSFET 30V N-Channel Power Trench 174 MOSFET
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FDMC8882 FDMC8882 Hersteller : ON Semiconductor fdmc8882jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 10.5A 8-Pin Power 33 EP T/R
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FDMC8882 FDMC8882 Hersteller : ON Semiconductor fdmc8882-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 10.5A 8-Pin Power 33 EP T/R
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FDMC8882 Hersteller : ONSEMI fdmc8882-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; 18W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
Power dissipation: 18W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FDMC8882 Hersteller : ONSEMI fdmc8882-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; 18W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
Power dissipation: 18W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.4mΩ
Mounting: SMD
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