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FDMS003N08C

FDMS003N08C ON Semiconductor


fdms003n08c-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
N Channel MOSFET
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Technische Details FDMS003N08C ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 80V 22A/147A POWER56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 147A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 56A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 310µA, Supplier Device Package: Power56, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5350 pF @ 40 V.

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FDMS003N08C FDMS003N08C Hersteller : onsemi fdms003n08c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 22A/147A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 147A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 310µA
Supplier Device Package: Power56
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5350 pF @ 40 V
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FDMS003N08C FDMS003N08C Hersteller : onsemi fdms003n08c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 22A/147A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 147A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 125W (Tc)
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Supplier Device Package: Power56
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
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FDMS003N08C FDMS003N08C Hersteller : onsemi FDMS003N08C_D-2312370.pdf MOSFET FET 80V 147A 3.1 mOhm
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FDMS003N08C FDMS003N08C Hersteller : ONSEMI FDMS003N08C-D.PDF Description: ONSEMI - FDMS003N08C - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
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FDMS003N08C Hersteller : ON Semiconductor fdms003n08c-d.pdf
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FDMS003N08C Hersteller : ON Semiconductor fdms003n08c-d.pdf N Channel MOSFET
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FDMS003N08C Hersteller : ONSEMI fdms003n08c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 92A; Idm: 658A; 125W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 92A
Pulsed drain current: 658A
Power dissipation: 125W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 73nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FDMS003N08C FDMS003N08C Hersteller : ON Semiconductor fdms003n08c-d.pdf N Channel MOSFET
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FDMS003N08C Hersteller : ONSEMI fdms003n08c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 92A; Idm: 658A; 125W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 92A
Pulsed drain current: 658A
Power dissipation: 125W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 73nC
Kind of package: reel; tape
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