FDMS3606S onsemi / Fairchild
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3000+ | 1.57 EUR |
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Technische Details FDMS3606S onsemi / Fairchild
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/40A; Idm: 40÷100A, Type of transistor: N-MOSFET x2, Technology: PowerTrench®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30/30V, Drain current: 30/40A, Pulsed drain current: 40...100A, Power dissipation: 2.2/2.5W, Case: Power56, Gate-source voltage: ±20/±20V, On-state resistance: 10.8/2.8mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 29/83nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote FDMS3606S
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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FDMS3606S | Hersteller : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/40A; Idm: 40÷100A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/30V Drain current: 30/40A Pulsed drain current: 40...100A Power dissipation: 2.2/2.5W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20/±20V On-state resistance: 10.8/2.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29/83nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDMS3606S | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A/27A T/R |
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FDMS3606S | Hersteller : Fairchild Semiconductor | Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI |
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FDMS3606S | Hersteller : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/40A; Idm: 40÷100A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/30V Drain current: 30/40A Pulsed drain current: 40...100A Power dissipation: 2.2/2.5W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20/±20V On-state resistance: 10.8/2.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29/83nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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