FDP023N08B-F102
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Technische Details FDP023N08B-F102
Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13765 pF @ 37.5 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 245W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 75A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.
Preis FDP023N08B-F102 ab 0 EUR bis 0 EUR
 Hersteller: onsemi / Fairchild MOSFET FET 75V 2.35 MOHM TO220 
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FDP023N08B-F102 Hersteller: ON Semiconductor Trans MOSFET N-CH Si 75V 242A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild MOSFET N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 242A, 2.35m?
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 Hersteller: onsemi Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3 Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13765 pF @ 37.5 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Power Dissipation (Max): 245W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 75A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube
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