FDP036N10A ON Semiconductor
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Technische Details FDP036N10A ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 333W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7295 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote FDP036N10A nach Preis ab 5.84 EUR bis 17.9 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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FDP036N10A | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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FDP036N10A | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET PT5 NCH 100V 3.6Mohm PowerTrench MOSFET |
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FDP036N10A | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7295 pF @ 25 V |
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FDP036N10A | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDP036N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0032 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm |
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| FDP036N10A | Hersteller : Fairchild/ON Semiconductor |
N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 120 А; Ptot, Вт = 227; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 7295 @ 25; Qg, нКл = 116 @ 10 В; Rds = 3,6 мОм @ 75 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB-3 |
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FDP036N10A Produktcode: 94301 |
IC > IC andere 8542 39 90 00 |
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FDP036N10A | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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FDP036N10A | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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